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J-GLOBAL ID：201702271015010607   整理番号：17A0968967

Geドープγグラフィンの構造,フォノンおよび電子特性:第一原理研究【Powered by NICT】

Structural, phononic and electronic properties of Ge-doped γ-graphynes: A first-principles study

著者 (5件)： Liu Junxian (Department of Physics, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Xin Zihua (Department of Physics, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Yan Xiao (Department of Physics, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Li Hui (Department of Physics, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Yu M. (Department of Physics and Astronomy, University of Louisville, Louisville, KY 40292, USA)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 258  ページ： 38-44  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三つの安定なGeドープγグラフェンのような構造を密度汎関数理論(DFT)に基づく第一原理計算によって系統的に研究した。これらの類似体は,γグラフェンファミリーの六原子環中のGe原子と交互に炭素原子を置換することにより導出し,GeCグラフィン,GeCグラフジインとGeCグラフィンIIIとした。これらの新しい系は,.~IIハイブリダイゼーションと六角形滞在Ge原子を有する平面構造を有することが分かった。それらの動的安定性は計算したフォノン分散スペクトルから確認され,それらの電子バンド構造は1.186eV,0.967eVと0.828eVのバンドギャップをもつ直接バンドギャップ半導体挙動を示し,それぞれ,Geドーピングは,元のγグラフェンファミリー材料のバンドギャップを効果的に増加させることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体 ,  *フォノン ,  スペクトル ,  *ゲルマニウム ,  *第一原理 ,  *ドーピング ,  グラフェン ,  バンドギャップ ,  炭素 ,  電子構造 ,  フォノン分散 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： 電子バンド構造 ,  第一原理計算 ,  *グラフィン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 第一原理計算 ,  γ-グラファイン ,  フォノン分散 ,  電子構造

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ge ,  ドープ ,  グラフィン ,  フォノン ,  電子 ,  第一原理 ,  研究