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J-GLOBAL ID：201702271080524592   整理番号：17A1426971

LiYO_2の構造的,電子的および光学的性質のEngel Vosko GGA計算【Powered by NICT】

Engel-Vosko GGA calculations of the structural, electronic and optical properties of LiYO₂

著者 (6件)： Muhammad Nisar (Department of Physics, University of Peshawar 25120 Peshawar, Pakistan) ,  Khan Afzal (Department of Physics, University of Peshawar 25120 Peshawar, Pakistan) ,  Haidar Khan Shah (Department of Physics, University of Peshawar 25120 Peshawar, Pakistan) ,  Sajjaj Siraj Muhammad (Department of Physics, University of Peshawar 25120 Peshawar, Pakistan) ,  Shah Syed Sarmad Ali (Department of Physics, University of Peshawar 25120 Peshawar, Pakistan) ,  Murtaza Ghulam (Department of Physics, Islamia College University, 25120 Peshawar, Pakistan)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 521  ページ： 62-68  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 構造,リチウムイットリウム酸化物(LiYO_2)の電子的および光学的特性を密度汎関数理論(DFT)を用いて研究した。これらの計算は,WIEN2kにより実装された完全ポテンシャル線形化増強平面波(FP LAPW)法に基づいている。一般化勾配近似(GGA)を交換相関汎関数としてPerdew Burk Ernzerhof(PBE)とEngel-Vosko(EV)との交換相関ポテンシャルとして用いた。平衡格子定数実験値に非常に近いを与えるので構造特性をGGAを用いて計算した。が,バンド構造および光学的性質は,実験値に非常に近い結果を得るEV-GGAを用いて計算した。著者らの計算は,より高い臨界破壊電界,高温運転と高い放射線耐性のような特性を示すウルトラワイドバンドギャップ材料の特性を示す5.23eVのバンドギャップを有する大きな間接バンドギャップ半導体としてLiYO_2を確認した。本論文では,構成原子のs,p,d状態からの寄与,バンド構造,電子構造,およびLiYO_2の周波数依存光学的性質の観点における状態密度(DOS)を報告した。本論文で提示した光学特性はオプトエレクトロニクスおよび光学デバイスの分野に適した候補をLiYO_2を明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 密度汎関数法 ,  状態密度 ,  バンド構造 ,  オプトエレクトロニクス ,  耐放射線性 ,  汎関数 ,  *光学的性質 ,  電子構造 ,  平面波 ,  光学素子 ,  バンドギャップ ,  格子定数 ,  酸化イットリウム ,  周波数依存性
準シソーラス用語： 一般化勾配近似 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 密度汎関数理論 ,  EV-GGA ,  超ワイドバンドギャップ材料 ,  バンド構造 ,  状態の密度 ,  電子電荷密度

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子 ,  光学的性質 ,  GGA ,  計算