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J-GLOBAL ID：201702271084981555   整理番号：17A0389073

高効率光電気化学的水還元反応のためのSi光電陰極上の原子層蒸着した二硫化モリブデン【Powered by NICT】

Atomic layer deposited molybdenum disulfide on Si photocathodes for highly efficient photoelectrochemical water reduction reaction

著者 (5件)： Oh Seungtaeg (Graduate School of Energy, Environment, Water, and Sustainability (EEWS), Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), 291 Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 350-701, Republic of Korea. [e-mail]) ,  Kim Jun Beom ,  Song Jun Tae ,  Oh Jihun ,  Kim Soo-Hyun
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 5  号： 7  ページ： 3304-3310  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二硫化モリブデン(MoS_2)は,貴金属触媒を置換できることを地球に豊富な低コスト水素発生電極触媒である。MoS_2ナノ材料は,正確な膜厚と組成を持つSi上に直接成長する原子層蒸着(A LD)を信頼性があり計量可能なプロセスである。ここでは,光電気化学(PEC)水還元反応のためのA LDを用いたMoS_2助触媒を用いた高速Si光電陰極を実証した。MoS_2の形態と厚さはA LD反応サイクルにより制御されるが,高温での硫化は,化学量論的MoS_2を形成するために行い,劇的に基底面の触媒的に活性なエッジサイトを最大にするMoS_2の結晶性を向上させた。系統的研究は,Si光電陰極に及ぼすMoS_2のPEC性能に及ぼすA LDと硫化パラメータの役割を調べるために行った。最大電気化学HER性能と最小光学及び電気的損失のための結晶性,エッジサイト密度,化学量論,およびMoS_2の形態を最適化することにより,A LD MoS_2助触媒とSi光電陰極は裸のSiに比較して約630mVの過電圧の減少を示した。光電陰極はまた模擬1太陽照射下で0.5M H_2SO_4における24時間安定性試験中に顕著な劣化なしに31mA cm~ 2の飽和光電流密度を示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 過電圧 ,  *硫化 ,  化学量論 ,  *光電陰極 ,  *電気化学 ,  ナノ材料 ,  最適化 ,  *ケイ素 ,  電極触媒 ,  *光電気化学 ,  電流密度 ,  結晶度 ,  膜厚
準シソーラス用語： 水素発生 ,  *二硫化モリブデン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高効率 ,  光電気化学 ,  水 ,  還元反応 ,  Si ,  光電陰極 ,  原子層蒸着 ,  二硫化モリブデン