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J-GLOBAL ID:201702271198732733   整理番号:17A0211760

広がる加速器の利用 中性子 加速器中性子源の利用 半導体の耐性試験-加速器によるシングルイベント耐性の実測評価-

Endurance Measurement of Semiconductor Chips-Beam Test by Particle Accelerator for Single Event Effects-
著者 (1件):
資料名:
巻: 13  号:ページ: 245-252  発行年: 2017年01月31日 
JST資料番号: L5541A  ISSN: 1349-3833  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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LSI上のトランジスタの信頼性を脅かす主な要因として,経年変化と一時故障が挙げられる。シングルイベント効果(SEE)の確率は低いが,車や航空機などの高信頼度を要求する機器では脅威である。本稿ではまず,放射線によるSEEの分類と歴史を紹介した。次に,それらのソフトエラーの要因として,高エネルギー中性子と熱中性子を論じ,ソフトエラー率(SER)の見積法を示した。続いて,ソフトエラー対策として,プロセスレベルでの対策と回路レベルでの対策を論じた。最後に,加速器による中性子帰因ソフトエラー耐性の実測評価を紹介した。他のSER評価手法にも触れた。
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分類 (2件):
分類
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固体デバイス計測・試験・信頼性  ,  半導体の放射線による構造と物性の変化 
引用文献 (27件):
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