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J-GLOBAL ID：201702271240315513   整理番号：17A1438188

グラフェンの電子構造:(ほとんど)自由電子バンドとタイトバインディングバンド【Powered by NICT】

Electronic structure of graphene: (Nearly) free electron bands versus tight-binding bands

著者 (4件)： Kogan E. (Department of Physics, Jack and Pearl Resnick Institute, Bar-Ilan University, Ramat-Gan 52900, Israel) ,  Silkin V. M. (Donostia International Physics Center (DIPC), Paseo de Manuel Lardizabal 4, E-20018 San Sebastian/Donostia, Spain) ,  Silkin V. M. (Departamento de Fisica de Materiales, Facultad de Ciencias Quimicas, UPV/EHU, Apartado 1072, E-20080 San Sebastian/Donostia, Spain) ,  Silkin V. M. (IKERBASQUE, Basque Foundation for Science, 48011 Bilbao, Spain)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 254  号： 9  ページ： ROMBUNNO.201700035  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 前報[Phys.Rev.B Vol.89,p.165430(2014)]では,グラフェンにおける,四占有バンド,原子当たり四原子軌道を用いた簡単な強束縛モデル(TBM)で記述できるへの区別において,Γ点非占有バンド(σ型のそれらと他のπ型の一つ)にある二最低はそのようなモデルでは記述できないことを見出した。本研究では,グラフェン面に関してこれらのバンド,それらの分散則とその局在の対称性を正しく記述する,(ほとんど)自由電子モデル(FEM)に基づいて,これらの二バンドの最小主義モデルを示唆した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *グラフェン ,  対称性 ,  *電子構造
準シソーラス用語： 強束縛モデル ,  原子軌道 ,  *自由電子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： バンド構造 ,  電子構造 ,  グラフェン ,  群理論 ,  対称性 ,  タイトバインディング

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体の可視・紫外スペクトル  (BM08083Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  電子構造 ,  自由電子 ,  バンド