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J-GLOBAL ID：201702271268326558   整理番号：17A1027952

絶縁ゲートバイポーラトランジスタのための結合回路両極性拡散方程式モデルとその解法【Powered by NICT】

A Coupled Circuit-Ambipolar Diffusion Equation Model and Its Solution Methodology for Insulated Gate Bipolar Transistors

著者 (4件)： Chen Jiajia (College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Yang Jiaqiang (College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Yang Shiyou (College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Li Xingjian (Electrical and Electronic Engineering, Xi’an Jiaotong-Liverpool University, Suzhou, China)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 53  号： 6  ページ： ROMBUNNO.7001604.1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過渡性能シミュレーションにおけるドリフト領域のMOS端で任意の自由キャリア注入条件と二次元効果を考慮しない既存の物理ベース型平面-ゲート絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モデルの非効率を除去するために,結合回路両極性拡散方程式モデルとその数値解法を提案した。さらに,提案したモデルは完全な過渡的に非線形性をtreads。提案したモデルの精度は実験結果と既存のモデルの両方を用いて計算した結果を比較して検証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *モデル ,  二次元 ,  *IGBT ,  数値解法 ,  *結合回路 ,  ドリフト ,  非線形性 ,  *両極性拡散
準シソーラス用語： 自由キャリア , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 数値計算  (JE02000J) ,  発電機・電動機一般  (NB07010Y) ,  電磁気学一般  (BD01020N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ ,  結合回路 ,  両極性 ,  拡散方程式 ,  モデル ,  解法