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J-GLOBAL ID：201702271284122336   整理番号：17A1551826

グラフェン量子ドットをドープしたPCBM電子輸送層を用いた効率的で高度に光安定な平面ペロブスカイト太陽電池【Powered by NICT】

Efficient and highly light stable planar perovskite solar cells with graphene quantum dots doped PCBM electron transport layer

著者 (10件)： Yang Zhengrui (State Key Laboratory of Silicon Materials and Department of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China) ,  Xie Jiangsheng (State Key Laboratory of Silicon Materials and Department of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China) ,  Arivazhagan V. (State Key Laboratory of Silicon Materials and Department of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China) ,  Xiao Ke (Center for Optoelectronics Materials and Devices, Department of Physics, Zhejiang Sci-Tech University, Hangzhou 310018, China) ,  Qiang Yaping (Center for Optoelectronics Materials and Devices, Department of Physics, Zhejiang Sci-Tech University, Hangzhou 310018, China) ,  Huang Kun (State Key Laboratory of Silicon Materials and Department of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China) ,  Hu Ming (State Key Laboratory of Silicon Materials and Department of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China) ,  Cui Can (Center for Optoelectronics Materials and Devices, Department of Physics, Zhejiang Sci-Tech University, Hangzhou 310018, China) ,  Yu Xuegong (State Key Laboratory of Silicon Materials and Department of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China) ,  Yang Deren (State Key Laboratory of Silicon Materials and Department of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China)
資料名： Nano Energy  (Nano Energy)
巻： 40  ページ： 345-351  発行年： 2017年 
JST資料番号： W3116A  ISSN： 2211-2855  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機-無機ハイブリッドペロブスカイト太陽電池(PSC)は,簡単な製造プロセス,低コストで光起電力産業における強い競争者としての潜在的応用のために,フェニルC_61酪酸メチルエステル(PCBM)のような有機電子輸送層に多くの研究を引き起こした。しかし,PCBMの低い電気伝導率と電子移動度はPSCの促進を妨げている。平面n-i-p PSCのPCBM電子輸送層(ETL)にドーピンググラフェン量子ドット(GQD)の1治験例,増強された電荷抽出と共にPCBM伝導率の明らかな増加を得たことを報告するとペロブスカイト膜のトラップ状態密度を低下させた。低ドーピング比(0.5wt%)はV,JとFFを向上させるために効率的である,17.56%のPCEが達成された。より重要なことは,PCBM:GQDを有するPSCsの光安定性が改善された:包装されていない細胞は300時間後に提示した完全UV成分の模擬太陽光下で初期PCEの80%以上を維持し,同じ期間中の<50%低下することを参照デバイスとは対照的である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光起電力 ,  *量子ドット ,  *太陽電池 ,  状態密度 ,  生産工程 ,  電気伝導率 ,  *ドーピング ,  電荷
準シソーラス用語： 模擬太陽 ,  光安定性 ,  伝導率 ,  電子移動度 ,  *PCBM ,  *電子輸送層 ,  *グラフェン量子ドット , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ペロブスカイト太陽電池 ,  光安定性 ,  グラフェン量子ドット ,  PCBM ,  電気伝導率

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン量子ドット ,  ドープ ,  PCBM ,  電子輸送層 ,  ペロブスカイト太陽電池