ディスプレイ応用のためのGaNベースマイクロ発光ダイオードの性能に及ぼす小型化の影響【Powered by NICT】

Olivier Francois; Tirano Sauveur; Dupre Ludovic; Aventurier Bernard; Largeron Christophe; Templier Francois

文献

J-GLOBAL ID：201702271311448325 整理番号：17A1454316

ディスプレイ応用のためのGaNベースマイクロ発光ダイオードの性能に及ぼす小型化の影響【Powered by NICT】

Influence of size-reduction on the performances of GaN-based micro-LEDs for display application

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資料名：
巻： 191 号： PB ページ： 112-116 発行年： 2017年
JST資料番号： D0731A ISSN： 0022-2313 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

ミクロサイズ発光ダイオード(μLEDs)のアレイに基づくマイクロディスプレイは広範囲の応用のための有望な技術である。これら2次元アレイでは,各μLEDは画像全体の単一ピクセルとして作用する。本論文では,10×10から500×500μm~2の範囲のInGaN/GaN LEDデバイスの発光と効率に及ぼすサイズ減少の効果を調べた。電流電圧輝度(IVL)測定と共にエレクトロルミネセンス特性は発光の均一性を研究し,効率の測定と関連させて実施した。結果は,強いサイズ依存性効率を示した。小型LEDは低い最大効率を示した。発光均一性は電流密度に依存することを示した。低電流密度では,発光がLEDの表面を横切る均一,不均一性は,より高い電流レベルで出現した。製造プロセスである電気的注入の分解を通してこの現象の部分的に関係していると思われる。著者らの結果は,μLEDアレイの特性を理解するために非常に重要である。実際,そのようなデバイスは超高輝度発光マイクロディスプレイの製作を可能にするであろう。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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発光素子

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