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J-GLOBAL ID:201702271345117299   整理番号:17A1521711

高出力半導体レーザの信頼性研究と故障解析【JST・京大機械翻訳】

Reliability Test and Failure Analysis of High Power Semicounductor Laser
著者 (7件):
資料名:
巻: 38  号:ページ: 165-169  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1380A  ISSN: 1000-7032  CODEN: FAXUEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
抄録/ポイント:
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10,12,14Aの電流ステップアップ加速応力試験を,975nmの波長において開発し,逆のべき乗則モデルと指数分布の理論を用いて,8Aの電流の下で,実験結果を解析した。デバイスの平均寿命は28999hであった。装置の故障モードと老化前後の温度上昇と偏光度の変化を研究した。失効形式は主に体内退化、空洞面退化、溶接に関連する退化がある。エージング後のデバイスの接合温度は上昇し,偏光度は約10%低下した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
著者キーワード (3件):
分類 (2件):
分類
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半導体レーザ  ,  固体デバイス計測・試験・信頼性 
タイトルに関連する用語 (4件):
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