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J-GLOBAL ID：201702271392934540   整理番号：17A0964670

ディジタルとアナログ応用のための二層グラフェン・ナノリボントンネルFETの性能評価【Powered by NICT】

Performance Evaluation of Bilayer Graphene Nanoribbon Tunnel FETs for Digital and Analog Applications

著者 (2件)： Rawat Brajesh (Department of Electronics and Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Guwahati, Guwahati, India) ,  Paily Roy (Department of Electronics and Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Guwahati, Guwahati, India)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 16  号： 3  ページ： 411-416  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 滑らかな端を持つ狭いグラフェンナノリボンの作製における最近の進歩は,ナノリボンベーストランジスタの成長を触媒した。これらの進歩に触発されて,低電圧ディジタルとアナログ応用のための二層グラフェンナノリボントンネル電界効果トランジスタ(BLGNR TFETs)を示唆した。デバイス性能は量子輸送シミュレーション,二次元Poisson方程式の自己無撞着解と非平衡Green関数形式に基づいて解析した。結果は非常に幅の狭い単層グラフェンナノリボンTFETの代わりにBLGNR TFETの使用は,オン電流を増加させ,オン/オフ電流比を低下させることなく固有デバイス遅延を低減することを示した。アナログ/RF応用のためのBLGNR TFETは非常に狭いリボン幅で高い固有利得を提供してきた;が,非常に狭い幅はカットオフ周波数を減少させた。さらに,RF性能指数は,外部寄生の存在下で調べた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： シミュレーション ,  利得 ,  単一層 ,  *アナログ系 ,  遮断周波数 ,  二次元 ,  電流 ,  性能指数 ,  Poisson方程式
準シソーラス用語： 非平衡Green関数 ,  量子輸送 ,  *二層 ,  グラフェンナノリボン ,  *ナノリボン ,  *二層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： ディジタル ,  アナログ ,  応用 ,  二層グラフェン ,  ナノリボン ,  トンネルFET ,  性能評価