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J-GLOBAL ID：201702271434417288   整理番号：17A1646242

FD-SOI層におけるキャリア寿命の評価【Powered by NICT】

Carrier lifetime evaluation in FD-SOI layers

著者 (5件)： Lee K. H. (IMEP-LAHC, Grenoble Institute of Technology, Minatec, Grenoble, France) ,  Bawedin M. (IMEP-LAHC, Grenoble Institute of Technology, Minatec, Grenoble, France) ,  Park H-J. (IMEP-LAHC, Grenoble Institute of Technology, Minatec, Grenoble, France) ,  Parihar M. (IMEP-LAHC, Grenoble Institute of Technology, Minatec, Grenoble, France) ,  Cristoloveanu S. (IMEP-LAHC, Grenoble Institute of Technology, Minatec, Grenoble, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ESSDERC  ページ： 140-143  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 仮想P-Nダイオードを静電的にドープした領域を誘導するようなフロントおよびバックゲートにバイアスをかけることによる非ドープSOI膜におけるエミュレートした。I-V曲線はダイオードとゲート電圧を介して設計することができる。寿命特性化のための仮想ダイオードの特性は,超薄SOI膜における非常に困難な作業と考えられたを利用した。の二種類の固有の方法は系統的実験とシミュレーションに基づいて提案し,比較した。キャリア寿命は7nm厚のSOI層における非常に短いことを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *キャリア寿命 ,  ドーピング ,  ダイオード ,  キャラクタリゼーション ,  エミュレーション
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  バックゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： SOI ,  キャリア寿命 ,  評価