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J-GLOBAL ID：201702271485908689   整理番号：17A1713437

Ge合金Cu_2SnS_3(CTGS)薄膜太陽電池の光起電力特性に及ぼす硫化温度の影響【Powered by NICT】

Influence of sulfurization temperature on photovoltaic properties of Ge alloyed Cu₂SnS₃ (CTGS) thin film solar cells

著者 (8件)： He Mingrui (Optoelectronics Convergence Research Center, Department of Materials Science and Engineering, Chonnam National University, Gwangju 500-757, South Korea) ,  Kim Jihun (School of Electrical Engineering and Computer Science, Gwangju Institute of Science and Technology, 123 Cheomdangwagi-ro, Buk-Gu, Gwangju 500-712, South Korea) ,  Suryawanshi M.P. (Optoelectronics Convergence Research Center, Department of Materials Science and Engineering, Chonnam National University, Gwangju 500-757, South Korea) ,  Lokhande A.C. (Optoelectronics Convergence Research Center, Department of Materials Science and Engineering, Chonnam National University, Gwangju 500-757, South Korea) ,  Gang Myengil (Optoelectronics Convergence Research Center, Department of Materials Science and Engineering, Chonnam National University, Gwangju 500-757, South Korea) ,  Ghorpade U.V. (Optoelectronics Convergence Research Center, Department of Materials Science and Engineering, Chonnam National University, Gwangju 500-757, South Korea) ,  Seon Lee Dong (School of Electrical Engineering and Computer Science, Gwangju Institute of Science and Technology, 123 Cheomdangwagi-ro, Buk-Gu, Gwangju 500-712, South Korea) ,  Hyeok Kim Jin (Optoelectronics Convergence Research Center, Department of Materials Science and Engineering, Chonnam National University, Gwangju 500-757, South Korea)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 174  ページ： 94-101  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge合金Cu_2SnS_3(CTGS)薄膜を異なるアニーリング温度で硫黄の雰囲気のもとでスパッタ蒸着したCu Ge Sn前駆体膜をアニールして調製した。形態的,組成的,CTGS薄膜の結晶構造に及ぼす異なるアニーリング温度の影響を調べた。は550°Cのアニーリング温度が結晶粒成長コンパクトな薄膜形成を促進する好ましい硫化環境を提供することが分かった。改善された性能を,X線蛍光(XRF)研究から証明されたように高Ge含有量に起因した。CTS薄膜への井戸の取り込まれたゲルマニウム原子はX線回折(XRD)により確認した。X線光電子分光法(XPS)研究は,その結合エネルギーは25.78と26.78eVに位置するGe原子の存在の証拠を提供した。しかし,低下した性能は500°C,520°C,580°Cと600°Cのような不適切なアニーリング温度であった。最後に,550°Cのアニーリング温度で,2.14%の最高の電力変換効率(PCE)は,220mVの開回路電圧(Voc),23.74mA~2の短回路電流密度(J_sc)と41%の曲線因子(FF)で達成された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *光起電力 ,  X線光電子スペクトル ,  *硫化 ,  焼なまし ,  X線回折 ,  *薄膜 ,  *ゲルマニウム ,  結晶成長 ,  X線光電子分光法 ,  前駆体 ,  *ゲルマニウム合金 ,  電流密度 ,  結合エネルギー
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  アニーリング温度 ,  *薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 薄膜太陽電池 ,  Cu_2SnS_3 ,  Ge合金化 ,  アニーリング温度依存性 ,  スパッタリング

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ge合金 ,  薄膜太陽電池 ,  光起電力 ,  硫化