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J-GLOBAL ID：201702271499459924   整理番号：17A1619824

熱蒸着で調製したCu₂ZnSnS₄薄膜の構造,ミクロ組織および光学的性質:基板温度と熱処理の効果

Structural, microstructural and optical properties of Cu₂ZnSnS₄ thin films prepared by thermal evaporation: effect of substrate temperature and annealing

著者 (4件)： CHALAPATHI U (Sri Venkateswara Univ., Tirupati, IND) ,  CHALAPATHI U (Yeungnam Univ., Gyeongsangbuk-do, KOR) ,  UTHANNA S (Sri Venkateswara Univ., Tirupati, IND) ,  RAJA V Sundara (Sri Venkateswara Univ., Tirupati, IND)
資料名： Bulletin of Materials Science  (Bulletin of Materials Science)
巻： 40  号： 5  ページ： 887-895  発行年： 2017年09月 
JST資料番号： T0142A  ISSN： 0250-4707  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： インド (IND)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化合物半導体太陽電池ではCIGS(Cu-In-Ga-Se化合物)が高い性能を示しているが,レアメタルの使用が課題となっている。これに対して,最近より資源的に豊富な元素からなる化合物半導体が開発されてきた。Cu₂ZnSnS₄(CZTS)はその一つである。本研究においては,CZTS薄膜の熱蒸着を用いた製造における基板温度が,得た膜の特性にどのような影響を与えるかを調べた。ソーダライムガラス基板を用い,種々の基板温度においてZnS,SnおよびCuを順次堆積させた。最終的に550°Cにおいて硫黄雰囲気中で熱処理を行ない,CZTSを形成させた。これによって得た薄膜についてXRD,Raman分光,FESEM,EDSおよびUV-Vis-NIRを用いてキャラクタリゼーションを行なった。また,4端子法による電気抵抗率測定も実施した。これらの実験から,形成したCZTS膜のミクロ組織(それに伴う光学・電気特性)は基板温度の影響を強く受け,300°Cの温度が最適であることを見出した。

シソーラス用語： 銅化合物 ,  亜鉛化合物 ,  スズ化合物 ,  硫化物 ,  *セラミック膜 ,  *太陽電池 ,  基板温度 ,  *微細構造 ,  *光学的性質 ,  電気的性質
準シソーラス用語： *化合物半導体太陽電池

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (8件)： 熱蒸着 ,  調製 ,  Cu2ZnSnS4 ,  薄膜 ,  ミクロ組織 ,  光学的性質 ,  基板温度 ,  熱処理