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J-GLOBAL ID:201702271553147274   整理番号:17A0301526

多結晶シリコンの精製に及ぼす保持時間の影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Influence of Soaking Time on Polycrystalline Silicon Purification during Directional Solidification
著者 (4件):
資料名:
巻: 34  号:ページ: 643-646,672  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2657A  ISSN: 1673-2812  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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本論文では,一方向凝固の原料として#3303を用いて,多結晶シリコンインゴットを調製した。実験過程において,冷却速度と冷却水流量は一定であり,実験パラメータとして異なる保持時間を用いた。光学顕微鏡(OM)と走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて,インゴットの微細構造を特性評価し,その結果,インゴットの底部の不純物含有量が最も少ないことを示した。配向凝固過程で不純物はインゴットの底部からインゴットのトップ方向に凝集する。誘導結合プラズマ原子発光分析法(ICP-AES)を用いてインゴットの不純物含有量を分析した結果、効果が最も良い実験保温時間は30分であり、これにより保温時間が長いほど、インゴット中の不純物含有量が少ないことが分かった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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著者キーワード (4件):
分類 (2件):
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半導体の結晶成長  ,  半導体の格子欠陥 
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