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J-GLOBAL ID：201702271603169619   整理番号：17A1076839

水素検出のためのrfスパッタリングによるCカットサファイア基板上のc軸MgドープZnOの制作

Fabrication of highly c-axis Mg doped ZnO on c-cut sapphire substrate by rf sputtering for hydrogen sensing

著者 (3件)： KARTHICK K. (K. Ramakrishnan Coll. of Engineering, Tiruchirappalli, IND) ,  SRINIVASAN D. (K. Ramakrishnan Coll. of Engineering, Tiruchirappalli, IND) ,  CHRISTOPHER J. Benedict (Manipal Inst. of Technol., Karnataka, IND)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 16  ページ： 11979-11986  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： いくつかの金属酸化物薄膜は高温の大気中で抵抗水素センサとして働くが酸素を必要とし,高濃度水素では飽和して測定不能になる。不活性雰囲気で動作し室温でも動作する水素検知器が望まれる。高度にc軸配向したMg:ZnOをrfスパッタリングで温度を変えたAl₂O₃にデポジットした。MgドーパントはZnOウルツ鉱格子に分散していることが結晶構造から観察された。基板温度はMg:ZnOのルミネセンス,光吸収,バンドギャップ,モルフォロジに顕著に影響する。MgドープZnO膜の表面モルフォロジは,粒径が大きく表面粗さが増え表面積が大きくなってセンシングに有利である。室温200ppmのH₂で,様々な温度で制作したMg:ZnO/Al₂O₃のセンシング能力を調べた。1400°CでのMg:ZnOセンサの応答と回復時間はそれぞれ74と54秒である。100~700ppmの限界でセンサはH₂濃度に追従していた。

シソーラス用語： 検出器 ,  RFスパッタリング ,  基板 ,  薄膜 ,  *マグネシウム ,  *ドーピング ,  基板温度 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  表面粗さ ,  応答時間 ,  時間 ,  スペクトル
準シソーラス用語： *ZnO薄膜 ,  サファイア基板 ,  フォトルミネセンススペクトル ,  回復時間 ,  *水素検知器 ,  表面モルフォロジー

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (8件)： 水素 ,  RFスパッタリング ,  サファイア基板 ,  C軸 ,  Mg ,  ドープ ,  ZnO ,  制作