文献

J-GLOBAL ID：201702271617104724   整理番号：17A0236826

CVDグラフェン成長のためのエピタキシャルAl₂O₃(0001)/Cu(111)テンプレートの開発

Epitaxial Al₂O₃(0001)/Cu(111) Template Development for CVD Graphene Growth

著者 (12件)： VERGUTS Ken (Imec vzw, Flemish Brabant, BEL) ,  VERGUTS Ken (Katholieke Universiteit Leuven, Flemish Brabant, BEL) ,  VERMEULEN Bart (Imec vzw, Flemish Brabant, BEL) ,  VRANCKEN Nandi (Imec vzw, Flemish Brabant, BEL) ,  SCHOUTEDEN Koen (Katholieke Universiteit Leuven, Flemish Brabant, BEL) ,  VAN HAESENDONCK Chris (Katholieke Universiteit Leuven, Flemish Brabant, BEL) ,  HUYGHEBAERT Cedric (Imec vzw, Flemish Brabant, BEL) ,  HEYNS Marc (Imec vzw, Flemish Brabant, BEL) ,  HEYNS Marc (Katholieke Universiteit Leuven, Flemish Brabant, BEL) ,  DE GENDT Stefan (Imec vzw, Flemish Brabant, BEL) ,  DE GENDT Stefan (Katholieke Universiteit Leuven, Flemish Brabant, BEL) ,  BREMS Steven (Imec vzw, Flemish Brabant, BEL)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 120  号： 1  ページ： 297-304  発行年： 2016年01月14日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン結晶中に望ましくない粒界の生成を防いで高品質のグラフェンを生成するために,OH基末端のサファイアへのCuスパッタ蒸着によるヘテロエピタキシャルなCu(111)テンプレートの合成を検討した。テンプレートは下記の手順で合成した。1)Al₂O₃の酸による高温エッチングと超純水の洗浄によってOH末端Al₂O₃の生成,2)室温Ar雰囲気下でのスパッタリングによる500nmCu蒸着とグラフェン成長温度での高温(~1000°C)アニーリング。最後に,調製したCu(111)テンプレート上でのCVDによって高品質の大面積グラフェンを調製した。

シソーラス用語： *グラフェン ,  *エピタクシー ,  *アルミナ ,  *銅 ,  *鋳型反応 ,  硫酸 ,  硝酸 ,  ウェットエッチング ,  スパッタリング ,  末端基 ,  ヒドロキシ基 ,  蒸着膜 ,  焼なまし ,  *化学蒸着

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

タイトルに関連する用語 (8件)： CVD ,  グラフェン ,  成長 ,  エピタキシャル ,  Al2O3 ,  Cu ,  テンプレート ,  開発