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J-GLOBAL ID：201702271742409365   整理番号：17A1505940

ZnS/SiとSi/ZnSコア/シェルナノワイヤのバンドギャップ変調と間接への直接バンドギャップ遷移【Powered by NICT】

Band gap modulation and indirect to direct band gap transition in ZnS/Si and Si/ZnS core/shell nanowires

著者 (7件)： Ur Rehman Shafiq (Key Laboratory of Strongly-Coupled Quantum Matter Physics, Chinese Academy of Sciences, PR China) ,  Ur Rehman Shafiq (Hefei National Laboratory for Physical Sciences at Microscale and Department of Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, PR China) ,  Li Z.Y. (Key Laboratory of Strongly-Coupled Quantum Matter Physics, Chinese Academy of Sciences, PR China) ,  Li Z.Y. (Hefei National Laboratory for Physical Sciences at Microscale and Department of Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, PR China) ,  Li H.M. (Supercomputing Center, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, PR China) ,  Ding Z.J. (Key Laboratory of Strongly-Coupled Quantum Matter Physics, Chinese Academy of Sciences, PR China) ,  Ding Z.J. (Hefei National Laboratory for Physical Sciences at Microscale and Department of Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, PR China)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 524  ページ： 163-172  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： [0001]方向における水素不動態化したウルツ鉱型ZnS/SiおよびSi/ZnSコア/殻ナノワイヤー(CSNWs)の電子構造とバンドギャップの性質に対する研究を,密度汎関数理論計算によって行った。格子パラメータとバンドギャップに及ぼす大きさとコア対シェルの化学組成比の影響を研究した。これらCSNWsのほとんど全ては異なるサイズと異なる化学組成比の間接バンドギャップの性質を持つが,2.7nmと3nmのサイズの0.4のZnS/Si CSNWsの場合には,それらは直接バンド挙動を示した。この間接的な直接バンドギャップ遷移にはコア/シェル界面に及ぼすそれらのバルク対応物と歪効果のコア領域の直接バンドギャップの性質に起因した。バンドギャップも両CSNWsのサイズは3nmから2.5nmまで減少したとき増加を示し,量子閉込めの結果として。バンドギャップ変調は実験結果と完全に一致した。凝集エネルギーは直径が大きくなるとともにCSNWsがエネルギー的に安定であることを示し,Si/ZnS CSNWsしたZnS/Si CSNWsよりも安定であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  密度汎関数法 ,  化学組成 ,  水素 ,  電子構造 ,  *硫化亜鉛 ,  不動態化 ,  量子閉込め ,  *バンドギャップ ,  界面 ,  凝集エネルギー ,  格子定数
準シソーラス用語： 歪効果 ,  間接バンドギャップ ,  *直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： コア/シェルナノワイヤ ,  間接-直接バンドギャップ遷移 ,  バンドギャップ変調 ,  密度汎関数理論

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (10件)： ZnS ,  Si ,  コア ,  シェル ,  ナノワイヤ ,  バンドギャップ ,  変調 ,  間接 ,  直接バンドギャップ ,  遷移