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J-GLOBAL ID:201702271768124927   整理番号:17A1640667

スマートグリッドと再生可能エネルギー発電システムのための電力半導体素子【Powered by NICT】

Power Semiconductor Devices for Smart Grid and Renewable Energy Systems
著者 (1件):
資料名:
巻: 105  号: 11  ページ: 2019-2047  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0378A  ISSN: 0018-9219  CODEN: IEEPAD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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近代文明産業生産,人間の移動性,快適な生活のための電気エネルギーの使用の増加に関係している。,一つの形態から他へと電気エネルギーを変換し,処理する,高度に効率的で信頼性のあるパワーエレクトロニクスシステムであるスマートグリッドと再生可能エネルギーシステムにとって重要である。,パワーエレクトロニクスシステムの基礎技術として,電力用半導体素子がシステム効率,サイズ,コストを決定する上で重要な役割を果たす。60年前にシリコンバイポーラ接合トランジスタの発明および商業化から出発して,シリコンパワー半導体デバイスの全アレイを開発し,商品化している。これらの素子は,光起電力(PV),風,エネルギー貯蔵,電気自動車(EV),フレキシブル交流送電システム(FACTS),高電圧直流(HVDC)送電のような種々のスマートグリッドと再生可能エネルギーシステム応用に必要な超高効率と高出力容量に到達へのパワーエレクトロニクスシステム可能にする。過去二年間では,SiCおよびGaNなどのワイドバンドギャップ(WBG)材料に基づいた電力半導体デバイスの新しい世代を開発・製品化さらに高電圧,高周波数,および高温に電力半導体素子の境界を押した。本論文では,主要な電力用半導体素子技術とその潜在的影響とロードマップのいくつかをレビューした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
分類
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固体デバイス一般  ,  トランジスタ  ,  サイリスタ  ,  電力変換器 
タイトルに関連する用語 (4件):
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