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J-GLOBAL ID：201702271809678153   整理番号：17A1457726

Cu(111)ナノ表面上でのDNA塩基の吸着のvan der Waals DFT ONIOM研究【Powered by NICT】

van der Waals DFT ONIOM study of the adsorption of DNA bases on the Cu(111) nanosurface

著者 (5件)： Farrokhpour H. (Department of Chemistry, Isfahan University of Technology, Isfahan, 84156-83111, Iran) ,  Hadadzadeh H. (Department of Chemistry, Isfahan University of Technology, Isfahan, 84156-83111, Iran) ,  Eskandari K. (Department of Chemistry, Isfahan University of Technology, Isfahan, 84156-83111, Iran) ,  Movahedi M. (Department of Chemistry, Isfahan University of Technology, Isfahan, 84156-83111, Iran) ,  Jouypazadeh H. (Department of Chemistry, Isfahan University of Technology, Isfahan, 84156-83111, Iran)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 422  ページ： 372-387  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Cu(111)ナノ表面上でのDNA塩基の吸着はCu表面上の塩基の電子構造を調べるために,塩基の吸着モードに対するvan der Waals相互作用の影響を明らかにした。計算は二DFT汎関数(PW91PW91とwB97XD)を用いたONIOM方式で行った。wB97XD(vdW相互作用を考慮した)のような長距離補正DFT汎関数を用いた表面上の塩基の傾斜角を減少することが分かった。各塩基及びCu表面の間の相互作用と電荷移動の原因となる主要な分子軌道を決定した。(HOMO,HOMO,HOMO3),HOMO-4(LUMO,HOMO3,HOMO ,及びHOMO-6),と(LUMOおよびHOMO )は,アデニン,シトシン,グアニン,およびチミンの表面である相互作用と電荷移動の原因であった。分子(QTAIM)における原子の量子理論は電子密度のトポロジー解析による表面と塩基の相互作用のより良い特性化のために使用した。結果はCu表面とアデニンの最も相互作用原子はNH_2基のN原子が,シトシンとグアニンの最も相互作用原子はカルボニル基のO原子がであることを示した。QTAIM解析はまた,Cu表面とシトシンのO原子の相互作用はグアニンのそれより強いことを示した。TYでは,O及びN原子は他の原子に比べてCu表面とのより大きい相互作用を有していた。電子密度(ρ_BCP)の計算値と原子-原子相互作用の結合臨界点での電子密度(▽~2ρ_BCP)のラプラシアンの正の符号に基づいて,塩基と表面の間の相互作用は閉殻相互作用に分類できると結論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *銅 ,  電子密度 ,  LUMO ,  汎関数 ,  電荷移動 ,  電子構造 ,  相互作用 ,  *DNA【核酸】 ,  *吸着 ,  量子論 ,  HOMO ,  van der Waals力 ,  窒素複素環化合物 ,  ヒドロキシ化合物 ,  ウレア化合物

著者キーワード (6件)： DNA塩基 ,  吸着エネルギー ,  ONIOM ,  QTAIM ,  Cu(111) ,  電荷移動

分類 (1件)： 吸着の電子論  (CB12042Y)

物質索引 (3件)： グアニン ,  シトシン ,  アデニン

タイトルに関連する用語 (6件)： Cu ,  吸着 ,  VAN ,  DFT ,  ONIOM ,  研究