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J-GLOBAL ID:201702271895252754   整理番号:17A0364705

レーザ支援化学浴堆積で調製したアンチモン硫化物薄膜【Powered by NICT】

Antimony sulfide thin films prepared by laser assisted chemical bath deposition
著者 (10件):
資料名:
巻: 393  ページ: 369-376  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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硫化アンチモン(Sb_2S_3)薄膜をレーザ支援化学浴析出(LACBD)法により作製した。これらの薄膜は通常の化学浴析出(CBD)の種々の条件として波長532nmの連続レーザを使用して化学浴のその場照射下で塩化アンチモン,アセトンとチオ硫酸ナトリウムを含む化学浴からガラス基板上に堆積した。構造,組成,形態,正常CBDにより産生されるSb_2S_3薄膜の光学的および電気的性質とLACBDをX線回折(XRD),Raman分光法,原子間力顕微鏡(A FM),X線光電子分光法(XPS),UV-vis分光法および光伝導率で分析した。結果はLACBDはオプトエレクトロニクス応用のためのSb_2S_3薄膜を得るための効果的な合成法であることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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半導体薄膜 
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