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J-GLOBAL ID：201702271905600160   整理番号：17A1166945

単一In_0 4Ga_0 6GaAs量子リングにおける励起子-音響フォノン結合【Powered by NICT】

Exciton acoustic-phonon coupling in single In_0.4Ga_0.6As/GaAs quantum rings

著者 (3件)： Triki M. (Laboratoire de Physique de la Matiere Condensee, Faculte des Sciences de Tunis, Universite de Tunis El Manar, Tunis, Tunisia) ,  Jaziri S. (Laboratoire de Physique de la Matiere Condensee, Faculte des Sciences de Tunis, Universite de Tunis El Manar, Tunis, Tunisia) ,  Jaziri S. (Laboratoire de Physique des Materiaux, Faculte des Sciences de Bizerte, Universite de Carthage, Tunis, Tunisia)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 254  号： 7  ページ： ROMBUNNO.201600833  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 音響フォノンの結合小In_0 4Ga_0 6GaAs量子リング(QR)中の励起子を研究した。励起子単一QRルミネセンスのスペクトル分布の温度依存性を示し,議論した。圧電および変形ポテンシャル結合の寄与を特定した。QRスペクトルは音響フォノン結合に誘起された広い背景を持つ鋭い零フォノン線を含む非Lorentz線形状を示すことが分かった。後者は温度に強く依存した。変形ポテンシャル機構を介して結合が支配的な寄与をしていることが分かった。これはより高エネルギーのフォノンを含み,側波帯広がりをもたらした。圧電結合に寄与するフォノンのエネルギーは低い。それらの影響は零フォノン線(ZPL)ピークに近い所にあった。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ルミネセンス ,  光ルミネセンス ,  変形ポテンシャル ,  側波帯 ,  スペクトル ,  *フォノン ,  *励起子 ,  *ヒ化ガリウム ,  温度依存性 ,  Lorentz型線形 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  圧電気
準シソーラス用語： 高エネルギー ,  *音響フォノン ,  *量子リング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 音響フォノン ,  励起子 ,  GaAs ,  InGaAs ,  光ルミネセンス ,  量子リング

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z)

タイトルに関連する用語 (3件)： 量子リング ,  励起子 ,  音響フォノン