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J-GLOBAL ID：201702272009264363   整理番号：17A1570788

多層グラフェンナノリボンベースのBioFETセンサの設計【Powered by NICT】

Multilayer graphene nanoribbon based BioFET sensor design

著者 (5件)： Hossain Nahid M. (Computer Science and Electrical Engineering, University of Missouri - Kansas City, Kansas City, MO 64110, USA) ,  Ashenafi Emeshaw (Computer Science and Electrical Engineering, University of Missouri - Kansas City, Kansas City, MO 64110, USA) ,  Hossen Moqbull (Computer Science and Electrical Engineering, University of Missouri - Kansas City, Kansas City, MO 64110, USA) ,  Es-Sakhi Azzedin (Computer Science and Electrical Engineering, University of Missouri - Kansas City, Kansas City, MO 64110, USA) ,  Chowdhury Masud H. (Computer Science and Electrical Engineering, University of Missouri - Kansas City, Kansas City, MO 64110, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MWSCAS  ページ： 1402-1405  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能バイオ官能化電界効果トランジスタ(BioFET)は,センシング応用のためのシリコンナノワイヤ(SiNW),カーボンナノチューブ(CNT)及びグラフェンのようなナノスケール電子材料を用いた。特異的焦点は,グラフェンに基づく高性能,低価格,スケーラブルで信頼性のあるバイオ官能化電界効果トランジスタ(BioFET)である。珪素基板上のグラフェンベースセンシングデバイスを構築することを試みた。グラフェンはイオン検出のためのチャネル材料と拡張ゲートとして使うことのできるバイオセンサを提案した。アイデアは,イオン感応性電界効果トランジスタ(ISFET)及び化学修飾電界効果トランジスタ(CHEMFET)に基づくバイオセンサの既存概念を結合し,新しいグラフェンナノリボン(GNR)ベースのBioFETにそれを実行することである。両ISFETとCHEMFET概念はフラッシュメモリ設計のそれに類似したフローティングゲートトランジスタ動作に基づいている。本論文では,バイオセンシング応用のために意図された規則的なトランジスタをベースにしたグラフェンFET(GFET)を調べた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 官能化 ,  バイオセンサ ,  フラッシュメモリ ,  FET【トランジスタ】 ,  ISFET ,  トランジスタ ,  イオン ,  チャネル ,  *グラフェン ,  信頼性
準シソーラス用語： グラフェンFET ,  *グラフェンナノリボン ,  シリコンウエハ ,  ナノスケール ,  シリコンナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (3件)： 多層 ,  グラフェンナノリボン ,  設計