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J-GLOBAL ID：201702272124733192   整理番号：17A0473145

六方晶WO_3(001)表面上の種々の酸素濃度下でのH_2感知機構:密度汎関数理論研究【Powered by NICT】

H₂ sensing mechanism under different oxygen concentration on the hexagonal WO₃ (001) surface: A density functional theory study

著者 (4件)： Tian Feng Hui (Institute of Computational Science and Engineering, Laboratory of New Fiber Materials and Modern Textile, The Growing Base for State Key Laboratory, College of Chemistry, Chemical and Environmental Engineering, College of Physics, Qingdao University, Qingdao 266071, China) ,  Gong Cong (Institute of Computational Science and Engineering, Laboratory of New Fiber Materials and Modern Textile, The Growing Base for State Key Laboratory, College of Chemistry, Chemical and Environmental Engineering, College of Physics, Qingdao University, Qingdao 266071, China) ,  Peng Yanhua (Institute of Computational Science and Engineering, Laboratory of New Fiber Materials and Modern Textile, The Growing Base for State Key Laboratory, College of Chemistry, Chemical and Environmental Engineering, College of Physics, Qingdao University, Qingdao 266071, China) ,  Xue Xuyan (Institute of Computational Science and Engineering, Laboratory of New Fiber Materials and Modern Textile, The Growing Base for State Key Laboratory, College of Chemistry, Chemical and Environmental Engineering, College of Physics, Qingdao University, Qingdao 266071, China)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 244  ページ： 655-663  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属酸化物に基づくガスセンサは,危険なガスの検出において重要な役割を果たす。本研究では,密度汎関数理論(DFT)は六方晶WO_3(001)表面上のH_2検出機構を解明するために使用されてきた。表面酸素密度(d_O)により直接的に反映でき,周囲雰囲気中の酸素濃度はWO_3表面にH_2センシング機構に大きく影響することを見出した。酸素高濃度から低まで変化させ,O終端表面を含む四表面,および前吸着酸素によると,清浄および酸素空格子点提示WO終端表面を考察した。O終端表面(d_O=1)では,H_2は表面に分子から0.635eの電荷移動を伴うH_2Oを形成する表面一重配位酸素(O_1c)と相互作用する。酸素前吸着したWO終端表面(1>d_O>0)では,H_2は予め吸着したO_1cと隣接O_2c H_2Oとヒドロキシルを形成する上に吸着し0.621eおよび0.488eの電荷移動であった。WO終端表面(d_O=0)と酸素空格子点表面(0>d_O> 1)について,H_2は小さな吸着エネルギーと電荷移動をもつ相対的に弱い吸着を示した。酸素濃度依存性挙動はH WO_3(001)表面上のH_2センシングのための確認された。また還元ガスH_2に関する結果は,COセンシング研究で新しく提案された酸素密度支配ガスセンシング機構に従う。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 相互作用 ,  金属酸化物 ,  吸着 ,  吸着エネルギー ,  ガスセンサ ,  *密度汎関数法 ,  濃度依存性 ,  *酸素 ,  電荷移動 ,  *六方晶系
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  高濃度 ,  *感知機構 ,  *酸素濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 水素センシング ,  六方晶WO_3(001)表面 ,  周囲酸素濃度 ,  表面酸素密度 ,  電荷移動 ,  密度汎関数理論

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 六方晶 ,  酸素濃度 ,  感知 ,  密度汎関数理論 ,  研究