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J-GLOBAL ID：201702272239319360   整理番号：17A1357986

超伝導マイクロブリッジにおける電流バイアスの下での電圧安定性【Powered by NICT】

Voltage stability under current bias in superconducting microbridges

著者 (7件)： Leo Antonio (Dipartimento di Fisica `E.R. Caianiello’, Universita` degli Studi di Salerno, 84084, Fisciano (SA) (Italy)) ,  Nigro Angela (Dipartimento di Fisica `E.R. Caianiello’, Universita` degli Studi di Salerno, 84084, Fisciano (SA) (Italy)) ,  Carapella Giovanni (Dipartimento di Fisica `E.R. Caianiello’, Universita` degli Studi di Salerno, 84084, Fisciano (SA) (Italy)) ,  Pace Sandro (Dipartimento di Fisica `E.R. Caianiello’, Universita` degli Studi di Salerno, 84084, Fisciano (SA) (Italy)) ,  Romano Paola (Dipartimento di Scienze e Tecnologie, Universita` del Sannio, 82100, Benevento (Italy)) ,  Grimaldi Gaia (CNR-SPIN Salerno, 84084, Fisciano (SA) (Italy)) ,  Daponte Pasquale (Dipartimento di Ingegneria, Universita` del Sannio, 82100 Benevento (Italy))
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MetroAeroSpace  ページ： 340-344  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超伝導膜では,散逸磁束フロー状態を,その値が,臨界電流値に非常に近いバイアス電流,超伝導エレクトロニクスと超伝導単一粒子/光子検出器のような下で動作するこれらのデバイスの安定性に重要な役割を果たしている。,超伝導膜における適切な電流-電圧測定モードによる電圧安定性と電流輸送を研究し,関連する現在のパラメータに及ぼすイオン照射の影響を調べた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *バイアス ,  臨界電流 ,  イオン照射 ,  *超伝導マイクロブリッジ ,  超伝導薄膜 ,  *電流 ,  電圧測定 ,  磁束フロー ,  *超伝導
準シソーラス用語： 電流輸送 ,  光子検出器 ,  単一粒子 ,  バイアス電流 ,  *電圧安定性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： Josephson接合・素子  (BM04043E) ,  電力系統一般  (NB02000E) ,  配電(事業者側)  (NB05040R)

タイトルに関連する用語 (3件)： 超伝導マイクロブリッジ ,  バイアス ,  電圧安定性