M~3+(H_2AsO_4)(H_2As_2O_7)(M~3+=Al, Ga)とIn_2(H_2AsO_4)2(H_2As_2O_7)-2:稀なH_2As_2O_7~2群を含む新しい層状構造型と新しいフレームワーク構造型【Powered by NICT】

Schwendtner Karolina; Kolitsch Uwe; Kolitsch Uwe

文献

J-GLOBAL ID：201702272244815920 整理番号：17A1245388

M~3+(H_2AsO_4)(H_2As_2O_7)(M~3+=Al, Ga)とIn_2(H_2AsO_4)2(H_2As_2O_7)-2:稀なH_2As_2O_7~2群を含む新しい層状構造型と新しいフレームワーク構造型【Powered by NICT】

M³⁺(H₂AsO₄)(H₂As₂O₇) (M³⁺ = Al, Ga) and In₂(H₂AsO₄)₂(H₂As₂O₇)₂: a new layer structure type and a new framework structure type containing the rare H₂As₂O₇ ^2- group

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資料名：
巻： 73 号： 8 ページ： 600-608 発行年： 2017年
JST資料番号： D0185B ISSN： 0108-2701 CODEN： ACSCEE 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Ga(H_2AsO_4)(H_2As_2O_7),ジインジウムビス[ジ水素アルセナート(V)]ビス[ジ水素ジアルセナート(V)],In_2(H_2AsO_4)2(H_2As_2O_7)2水熱合成アルミニウムジ水素アルセナート(V)ジ水素ジアルセナート(V), アール(H_2AsO_4)(H_2As_2O_7),ガリウムジ水素アルセナート(V)ジ水素ジアルセナート(V)の結晶構造を室温で収集した単結晶X線回折データから決定した。最初の二化合物は新しいシート構造型の代表であるが,第三の化合物は新しいフレームワーク構造に結晶化する。三つの全ての構造では,基本的なビルディングユニットは1H_2AsO_4~および二H_2As_2O_7~2群鎖へ,さらに層にH_2As_2O_7~2群を介して結合していることをM~3+O_6八面体(M=Al, Ga, In)である。Al/Ga(H_2AsO_4)(H_2As_2O_7)では,これらの層は弱ないし中程度の強い水素結合により相互に連結されている。In_2(H_2AsO_4)2(H_2As_2O_7)2では,H_2As_2O_7~2群は三次元で鎖を連結して,骨格トポロジー,弱ないし中程度の強い水素結合で強化されたを形成した。三標記ひ酸塩は両H_2AsO_4~およびH_2As_2O_7~2群を含む最初の化合物を示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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金属の結晶構造

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