文献

J-GLOBAL ID：201702272247051982   整理番号：17A1036246

ファンアウトウエハレベルパッケージのチップ基板相互作用により誘導されるユニークな故障機構【Powered by NICT】

A unique failure mechanism induced by chip to board interaction on fan-out wafer level package

著者 (8件)： Yu C. K. (Quality Assurance, MediaTek Inc., Hsinchu City, Taiwan) ,  Chiang W. S. (Quality Assurance, MediaTek Inc., Hsinchu City, Taiwan) ,  Liu N. W. (Advanced Package Technology, MediaTek Inc., Hsinchu City, Taiwan) ,  Lin M. Z. (Quality Assurance, MediaTek Inc., Hsinchu City, Taiwan) ,  Fang Y. H. (Quality Assurance, MediaTek Inc., Hsinchu City, Taiwan) ,  Lin M. J. (Quality Assurance, MediaTek Inc., Hsinchu City, Taiwan) ,  Lin Benson (Advanced Package Technology, MediaTek Inc., Hsinchu City, Taiwan) ,  Huang Michael (Advanced Package Technology, MediaTek Inc., Hsinchu City, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IRPS  ページ： 4A-6.1-4A-6.4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ファンアウトウエハレベルパッケージ(FOWLP)の公表された多くの疲れ機構にもかかわらず,ほとんどの単に独立パッケージ信頼性やはんだ接合能力に焦点を当てた。誘導CBI故障を知覚するための困難さのために基板相互作用(CBI)チップの故障を調べたものはわずかだった。本論文では,まず熱応力勾配下でのCBIにより誘導されるFOWLPの相互接続における革新的な試験方法により観察されたユニークな故障機構。円形亀裂はモジュール間の不整合熱膨張による不動態化と再分布層(RDL)上に検出された。CBIは,適切な不動態化特性,微調整されたプロセスウィンドウ,最適化されたRDLパターンと適切なはんだボール材料によって研究し,改善された。新しいシミュレーションモデルを確立し,信頼性ロバスト性のために発生したインハウスデザインガイドライン。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： シミュレーションモデル ,  はんだ付 ,  *相互作用 ,  ロバスト性 ,  不動態化 ,  *故障 ,  最適化 ,  再分布 ,  熱応力 ,  不整合 ,  信頼性 ,  相互接続
準シソーラス用語： はんだバンプ ,  プロセスウィンドウ ,  *故障メカニズム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： チップ基板 ,  相互作用 ,  誘導 ,  故障