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J-GLOBAL ID：201702272271675665   整理番号：17A1727330

経験的強束縛近似の枠内でのIII-V超薄体電界効果トランジスタにおける結晶不純物のモデル化【Powered by NICT】

Modeling of crystal impurities in III-V ultra-thin body field-effect transistors within the empirical tight-binding framework

著者 (3件)： Rau Martin (Integrated Systems Laboratory, ETH Zuerich, Zuerich, Switzerland) ,  Luisier Mathieu (Integrated Systems Laboratory, ETH Zuerich, Zuerich, Switzerland) ,  Park Hong-Hyun (Samsung Semiconductor Inc., San Jose, California, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SISPAD  ページ： 353-356  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,材料レベルでのIII-V半導体における結晶不純物をモデル化し,経験的.~3D~5強束縛(TB)フレームワーク内に新しい技術を示した。規則半導体原子はTBパラメータは平坦なE k分散で特性化される単一のトラップ状態を生成するために調整されるいわゆる「不純物原子」により置換された。二つの無次元パラメータの助けを借りて,トラップ状態のエネルギー準位は伝導帯内にバンドギャップ内の深部から連続的に調整できた。トラップ体積を増加させ,より複雑な欠陥構造をモデル化するために,二以上の不純物原子が一緒にクラスタ化できる。Poisson-Schroedingerデバイスシミュレータに結合して,モデルは,自由電荷キャリア捕獲とトラップ支援トンネリングに起因する静電遮蔽を説明する。特に,超スケール二重ゲートIn_0In0.53Ga_0Ga0.47As MOSFETのコヒーレント駆動と漏れ電流に及ぼすトラップエネルギーと体積の影響を調べた。伝導バンドトラップは実質的にデバイスON電流を低下させることが分かったが,バンドギャップトラップによって支援されたソースからドレインへのトンネルはサブしきい値勾配を有意に増加させた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： MOSFET ,  半導体 ,  キャリア捕獲 ,  *不純物 ,  クラスタ化 ,  *モデリング ,  トンネル効果 ,  キャラクタリゼーション ,  *強束縛近似 ,  静電遮蔽 ,  伝導バンド ,  漏れ電流 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 二重ゲート ,  デバイスシミュレータ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： 経験 ,  強束縛近似 ,  枠 ,  電界効果トランジスタ ,  結晶 ,  不純物 ,  モデル化