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J-GLOBAL ID：201702272281445706   整理番号：17A1088341

太陽電池および熱電応用のためのZnO

ZnO for Solar Cell and Thermoelectric Applications

著者 (9件)： ZHOU Chuanle (Missouri Univ. Sci. and Technol., MO) ,  GHODS Amirhossein (Missouri Univ. Sci. and Technol., MO) ,  YUNGHANS Kelcy L. (Missouri Univ. Sci. and Technol., MO) ,  SARAVADE Vishal G. (Missouri Univ. Sci. and Technol., MO) ,  PATEL Paresh V. (Missouri Univ. Sci. and Technol., MO) ,  JIANG Xiaodong (Purdue Univ., IN, USA) ,  KUCUKGOK Bahadir (Purdue Univ., IN, USA) ,  LU Na (Purdue Univ., IN, USA) ,  FERGUSON Ian (Missouri Univ. Sci. and Technol., MO)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10105  ページ： 101051K.1-101051K.10  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnO系材料は,エネルギー採取応用(圧電,光起電力,熱電など)において有望である。本研究では,ITO裏面オーミックコンタクト上にZnO薄膜をMOCVD法で成膜して,上面のショットキーコンタクトはAgを用いて,ZnO系の縦型ショットキー障壁太陽電池を製作した。様々な急速熱アニール条件でキャリア密度と結晶品質の変化を調べた。200nm以上の膜厚のZnO薄膜は多結晶構造を形成し,ショットキー太陽電池の実証に利用された。デバイスのI-V特性は,短絡電流(I_SC)は~0.1μA,開回路電圧(V_OC)は~0.1mVであり,光照射で向上するので光起電力性能を示している。MOCVDもしくは溶融成長法による薄膜およびバルクZnOを,室温熱電特性の観点で調査した。室温において,バルクのゼーベック係数は,高い結晶品質のため薄膜よりはるかに大きい。荷電キャリアにより生ずる結晶欠陥によりキャリア濃度が上昇するにつれ,ゼーベック係数は低下する。同時添加のバルクZn_0.96Ga_0.02Al_0.02Oでは,全温度領域(300~1300K)で,大きな力率,低い熱伝導率,有望なZT値を示した。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  熱電効果 ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  MOCVD ,  *半導体薄膜 ,  Schottky障壁 ,  銀 ,  Ohm接触 ,  電極 ,  熱処理 ,  *キャリア密度 ,  多結晶 ,  電流電圧特性 ,  短絡電流 ,  電圧 ,  *輸送係数 ,  *ドーピング ,  アルミニウム ,  ガリウム ,  *光起電力 ,  融液成長 ,  *単結晶
準シソーラス用語： ITO電極 ,  開回路電圧 ,  *Seebeck係数 ,  *共ドーピング

分類 (4件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体-金属接触  (BM03084G) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 太陽電池 ,  応用 ,  ZnO