Al_0 0.08Ga_0 92As合金ベースGunn素子における進行Gunnドメインから放出された光の特性化【Powered by NICT】

Cetinkaya Caglar; Mutlu Selman; Donmez Omer; Erol Ayse

文献

J-GLOBAL ID：201702272330163971 整理番号：17A1639064

Al_0 0.08Ga_0 92As合金ベースGunn素子における進行Gunnドメインから放出された光の特性化【Powered by NICT】

Characterization of emitted light from travelling Gunn domains in Al_0.08Ga_0.92As alloy based Gunn devices

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資料名：
巻： 111 ページ： 744-753 発行年： 2017年
JST資料番号： D0600B ISSN： 0749-6036 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

楔形電極を有する単純な棒形状で作製したAl_0 0.08Ga_0 0.92としてGunn素子に基づいた発光素子の室温動作を報告した。高速I-V測定は,約3.8kV/cmで負性微分抵抗領域のしきい値での,Gunn振動,電流不安定性は3.8ns期間によって生成されることを明らかにした。デバイスは約3.8kV/cmで負性微分抵抗(NDR)領域の開始の電場でバイアスされている場合,刃状転位と表面発光が観察され,NDRしきい値は通常のレーザにおける同様のすぐ上の光指数の強度は印加磁場で増加した。ピーク波長Al_0 0.08Ga_0 0.92Asのバンドギャップエネルギーに対応する約816nmであることが,発光の起源は移動空間電荷領域における衝突イオン化プロセスによって生成された電子と正孔の再結合,すなわち,Gunnドメインである。,印加磁場の増加とともに,Gunn分域の振幅は衝突イオン化による電子と正孔の増強生成の結果である増加することを示した。放出された光の強度は印加電場に依存することが観察された。低電場では,光強度は直線的に増加し,印加電場はNDR領域の開始に達し,指数関数的に増加した。に加えて,印加磁場が増加すると,発光の半値全幅(FWHM)は62nmから56.5nmまで減少し,波長の高い選択的発光線に進化している。デバイスからの発光は印加電圧の極性に無関係であると決定した。導波管素子の表面放出およびエッジ放出特性の比較は互いに異なっていた。エッジ発光はFabry-Perot共振器の明確な縦モードを有する表面放出,このようなデバイスでは,レーザ発振は進行Gunnドメインにおける衝突イオン化により生成した過剰キャリアの再結合から生じることを示しているより高いエレクトロルミネセンス強度と良好なスペクトル純度を有していた。に加えて,4.1kV/cmで導波路Al_0 0.08Ga_0 0.92としてGunnデバイスの端発光ピークは,FWHM8及び6nmの共振器における構築光子による誘導放出が支配による隣接した鋭いマイナーピークをもつ二つのピークに分割される。著者らの結果は,提案したGunnデバイスは簡単な設計,1つのタイプだけをドープした活性領域と電圧極性に依存しない操作による従来のダイオードレーザへの有望な代替法であることを明らかにしたが,デューティサイクルは十分に小さく室温で動作するように選択する必要がある。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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酸化物薄膜 , 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , 半導体レーザ

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