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J-GLOBAL ID：201702272386205446   整理番号：17A0909887

水平ブリッジマン法による大型非ドープp型SnSe単結晶の成長と特性評価【Powered by NICT】

Growth and characterization of large size undoped p-type SnSe single crystal by Horizontal Bridgman method

著者 (7件)： Jin Min (Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, 315201, PR China) ,  Shao Hezhu (Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, 315201, PR China) ,  Hu Haoyang (Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, 315201, PR China) ,  Li Debo (Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, 315201, PR China) ,  Shen Hui (Institute of Crystal Growth, School of Materials Science and Engineering, Shanghai Institute of Technology, Shanghai, 201418, PR China) ,  Xu Jiayue (Institute of Crystal Growth, School of Materials Science and Engineering, Shanghai Institute of Technology, Shanghai, 201418, PR China) ,  Jiang Jun (Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo, 315201, PR China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 712  ページ： 857-862  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大型非ドープSnSe単結晶を成長させる試みを用いた水平Bridgman(HB)法。SnSeは2 3°C/cmの温度勾配下で結晶化し,熱応力を解放するために~25°C/hの速度で室温まで冷却した。液体溶液と蒸発した蒸気から成長させたSnSe結晶が同時に得られた。約30×20×15mm~3と35×15×15mm~3サイズ二単結晶を液体成長SnSe,これまで最大であることが報告されている,から剥離した。成長させたままのSnSe単結晶を室温で標準の斜方晶系Pnma空間群を持っていた。結晶の化学量論比はSn:Se=1:1を測定した。成長直後の結晶の密度は~6.16g/cm~3であり,これはSnSeの理論値の100%に非常に近かった。得られたSnSe単結晶を室温でのキャリア密度5.1×10~17cm~ 3のp型特性を示した。開裂bc面に平行および垂直な方向における熱電特性を分析し,最大熱電性能指数ZTはPnma Cmcm相転移温度近傍でのZT_//=1.1とZT_⊥=0.24であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 斜方晶系 ,  *キャラクタリゼーション ,  *Bridgman法 ,  化学量論 ,  *単結晶 ,  *結晶 ,  *ドーピング ,  温度勾配 ,  転移温度 ,  空間群 ,  キャリア密度 ,  結晶化
準シソーラス用語： 熱電性能指数 ,  熱電特性 ,  *単結晶成長 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 水平ブリッジマン(HB)法 ,  SnSe単結晶 ,  stoichiometry ,  結晶密度 ,  熱電特性

分類 (2件)： 金属系の相平衡・状態図  (CB03012T) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ブリッジマン法 ,  大型 ,  ドープ ,  単結晶の成長 ,  特性評価