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J-GLOBAL ID：201702272445592764   整理番号：17A1017544

単層MoS₂フォトトランジスタにおける電気輸送と残留光伝導

Electrical transport and persistent photoconductivity in monolayer MoS₂ phototransistors

著者 (12件)： BARTOLOMEO Antonio Di (Universita di Salerno, Fisciano, ITA) ,  BARTOLOMEO Antonio Di (SPIN Salerno, CNR, Fisciano, ITA) ,  GENOVESE Luca (Universita di Salerno, Fisciano, ITA) ,  GENOVESE Luca (Univ. Duisburg-Essen, Duisburg, DEU) ,  FOLLER Tobias (Univ. Duisburg-Essen, Duisburg, DEU) ,  GIUBILEO Filippo (SPIN Salerno, CNR, Fisciano, ITA) ,  LUONGO Giuseppe (Universita di Salerno, Fisciano, ITA) ,  LUONGO Giuseppe (SPIN Salerno, CNR, Fisciano, ITA) ,  CROIN Luca (INRIM-Strada delle Cacce, Torino, ITA) ,  LIANG Shi-Jun (Singapore Univ. Technol. and Design (SUTD), Singapore) ,  ANG L K (Singapore Univ. Technol. and Design (SUTD), Singapore) ,  SCHLEBERGER Marika (Univ. Duisburg-Essen, Duisburg, DEU)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 21  ページ： 214002,1-7  発行年： 2017年05月26日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 剥離したMoS₂を使ったバックゲート電界効果トランジスタを作製し,様々な光照射強度下,低ドレインバイアスでその輸送特性を調べた。光伝導,光ゲート効果,そして空間電荷制限伝導が同時に起こることが分った。光伝導は光強度の対数関数で増加した。減衰時間は10⁴秒より長く,これはMoS₂/SiO₂界面とMoS₂欠陥の光電荷捕獲が原因となって起こる。伝達特性はヒステリシスを見せた。接触抵抗,ON電流,ON-OFF比,移動度,及び光応答性などの低バイアスにおけるトランジスタ特性を報告した。

シソーラス用語： 硫化モリブデン ,  単一層 ,  カルコゲン化物 ,  遷移金属化合物 ,  残留光伝導 ,  FET【トランジスタ】 ,  MOSFET ,  ホッピング伝導 ,  電荷移動 ,  *光伝導 ,  *特性 ,  接触抵抗 ,  比率 ,  *フォトトランジスタ
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  バックゲートMOSトランジスタ ,  空間電荷制限伝導 ,  光抵抗 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  単層 ,  *伝達特性

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単層 ,  MoS2 ,  フォトトランジスタ ,  電気輸送 ,  残留光伝導