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J-GLOBAL ID：201702272631594454   整理番号：17A1640053

スパッタ成長配向Bi-Te膜とその光学的および電子構造における組成調整【Powered by NICT】

Compositional tuning in sputter-grown highly-oriented Bi-Te films and their optical and electronic structures

著者 (8件)： Saito Yuta (Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba 5, 1-1-1 Higashi, Tsukuba 305-8565, Japan. [e-mail]) ,  Fons Paul ,  Makino Kotaro ,  Mitrofanov Kirill V. ,  Uesugi Fumihiko ,  Takeguchi Masaki ,  Kolobov Alexander V. ,  Tominaga Junji
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 39  ページ： 15115-15121  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヘリコン波マグネトロンスパッタリングを用いたBi-Te系薄膜の成長は合金ターゲットを用いて系統的に研究した。得られた膜組成はスパッタリングとアンテナコイルパワーの両方に強く依存することが分かった。Bi_2Te_3合金ターゲットを用いた場合に得られる膜組成はBi_55Te_45Bi_43Te_57から,TeリッチBi_30Te_70標的に対するBi_42Te_58Bi_40Te_60(Bi_2Te_3)であった。すべての膜は基板に平行なvan der Waals層(00L面)の強い配向を示した。Bi_2Te_3五重とBi二重層の原子レベル積層を高分解能透過型電子顕微鏡により直接観察した。バンド構造シミュレーションは,スピン-軌道結合を含めた場合BiリッチBi_4Te_3バルクはガンマ点でのDiracコーンを持つ半金属零バンドギャップがあることを明らかにした。光学測定も,この材料は零バンドギャップを持つことを確認した。組成の同調性と層の位相幾何学的絶縁特性を工業的規模で将来のエレクトロニクス応用のためのこれらの材料の使用を可能にするであろう。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： マグネトロンスパッタリング ,  位相幾何学 ,  薄膜 ,  バンドギャップ ,  合金 ,  電子技術 ,  半金属 ,  光学的測定 ,  *電子構造 ,  シミュレーション ,  *ビスマス ,  同時性
準シソーラス用語： Diracコーン ,  HRTEM ,  二重層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： スパッタ ,  成長 ,  配向 ,  Bi ,  Te ,  光学 ,  電子構造 ,  組成