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J-GLOBAL ID：201702272669785212   整理番号：17A1121449

高速レーザパルス照射による相変化薄膜における多準位状態の実現【Powered by NICT】

Realization of Multilevel States in Phase-Change Thin Films by Fast Laser Pulse Irradiation

著者 (5件)： Sun Xinxing (Leibniz Institute of Surface Modification (IOM), Permoserstr. 15, D-04318, Leipzig, Germany) ,  Lotnyk Andriy (Leibniz Institute of Surface Modification (IOM), Permoserstr. 15, D-04318, Leipzig, Germany) ,  Ehrhardt Martin (Leibniz Institute of Surface Modification (IOM), Permoserstr. 15, D-04318, Leipzig, Germany) ,  Gerlach Juergen W. (Leibniz Institute of Surface Modification (IOM), Permoserstr. 15, D-04318, Leipzig, Germany) ,  Rauschenbach Bernd (Leibniz Institute of Surface Modification (IOM), Permoserstr. 15, D-04318, Leipzig, Germany)
資料名： Advanced Optical Materials  (Advanced Optical Materials)
巻： 5  号： 12  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2486A  ISSN： 2195-1071  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マルチレベル貯蔵技術は貯蔵密度を増加させるための,相変化材料ベースメモリ素子の利用におけるエネルギー消費を低減するために有望である。しかし,相転移を正確に制御すると同様に理解することは,基礎的なスイッチ開閉機構はまだ研究中である。本研究では,レーザアブレーションにより作製した単層GeTe相変化膜における不揮発性光多値スイッチングはナノ秒の時間スケールで実現可能であり,正確に制御可能であることを実証した。この目的のために,ns紫外レーザポンプ-プローブ構成を研究に適用した。26mJ cm~ 2のフルエンスで各レーザパルス励起(期間:20ns,波長248nm)は部分的結晶化を誘起された単一パルスの重合せによって達成される完全な結晶化がことが分かった。逆プロセスでは,112mJ cm~ 2のフルエンスでの単一パルス励起はGeTe薄膜の非晶質化をもたらした。スイッチング時間に関しては,完全な結晶化と非晶質化は,≒300nsおよび≒3ns後に達成され,それぞれであると決定した。さらに,局所微細構造相転移過程を,光反射率の観察された可逆的スイッチング,相変化材料ベースマルチレベル相変化メモリの基礎となる機構を理解するために重要であると相関していることを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *薄膜 ,  ナノ秒 ,  構造相転移 ,  励起 ,  スイッチ ,  *レーザパルス ,  記憶素子 ,  アモルファス化 ,  レーザアブレーション ,  *相転移 ,  結晶化 ,  フルエンス
準シソーラス用語： 相変化メモリ ,  GeTe ,  相変化材料 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： GeTe ,  マルチレベル貯蔵 ,  光スイッチング ,  相変化材料 ,  構造変態

分類 (1件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (3件)： レーザパルス ,  相変化 ,  薄膜