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J-GLOBAL ID：201702272711793471   整理番号：17A1513795

黒リンオプトエレクトロニクスデバイス

Black Phosphorus Optoelectronic Devices

著者 (2件)： CHEN Xiaolong (Yale Univ., Connecticut, USA) ,  XIA Fengnian (Yale Univ., Connecticut, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10194  ページ： 101940E.1-101940E.8  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 黒リン(BP)は有望な二次元電子材料である。今回,赤リン(R)をBPに変換する合成法を開発した。まず,RPを400°Cに加熱してRPを柔軟なPET膜上に均一に堆積させ,加熱時間によって厚みを調整し,10GPaの高圧をPET上のRPに加え,RPをBPに変換した。RamanスペクトルはBPの斜方晶構造を示した。数層及び薄膜BPは,広いバンドギャップ調整可能性,厚み依存性直接バンドギャップ,高いキャリア移動度及び高い外部光応答性,10⁴光伝導率を有することを確認した。

シソーラス用語： *黒リン ,  赤リン ,  *固体素子 ,  化学合成 ,  加熱 ,  斜方晶系 ,  Ramanスペクトル ,  バンドギャップ ,  キャリア移動度 ,  応答 ,  光伝導 ,  *光伝導素子
準シソーラス用語： *オプトエレクトロニクスデバイス ,  光応答 ,  光伝導度 ,  高圧合成 ,  合成法

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (2件)： 黒リン ,  オプトエレクトロニクスデバイス