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J-GLOBAL ID：201702272769369894   整理番号：17A1036262

回路信頼性に及ぼす低k誘電体絶縁破壊の影響を評価するためのパーコレーション欠陥核形成と成長モデル【Powered by NICT】

A percolation defect nucleation and growth model for assessment of the impact of low-k dielectric breakdown on circuit reliability

著者 (2件)： Lee Shou-Chung (TSMC, Hsinchu, Taiwan) ,  Oates A. S. (TSMC, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IRPS  ページ： 5B-1.1-5B-1.9  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BEOL誘電破壊はパーコレーション欠陥の核形成とそれに続く成長で記述できると仮定した。絶縁破壊後の電流成長と最終的なハードブレークダウンの統計を記述するために半経験的モデルを開発した。モデルは実験的に到達可能な相互接続長はハードブレークダウン,および成長時間のパーセンタイル依存長さ依存性までの時間のPoisson長さ依存性を示すと予測した。回路信頼性に関連した故障時間分布の低い百分位数では,成長時間が相互接続長さに非依存性であり,結果として回路の信頼性は完全に成長時間により支配される。これらの知見は,現在の産業標準法と比較して実質的な増加を示すことを誘電体信頼性予測のための新しい方法論の基礎を提供する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 相互接続 ,  *パーコレーション ,  電流 ,  *核形成 ,  *誘電体 ,  *絶縁破壊 ,  故障 ,  *モデル
準シソーラス用語： 信頼性予測 ,  時間分布 ,  長さ依存性 ,  BEOL ,  *成長モデル ,  *低k誘電体 ,  *回路信頼性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 回路信頼性 ,  低k誘電体 ,  絶縁破壊 ,  評価 ,  パーコレーション ,  欠陥 ,  核形成 ,  成長モデル