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J-GLOBAL ID：201702272835292751   整理番号：17A1651537

再構成可能な両極性CNTFETセルに基づく全加算器の設計【Powered by NICT】

Full adder design based on reconfigurable ambipolar CNTFET cell

著者 (4件)： Ghabri Houda (LETI laboratory, National School of Engineering of Sfax, University of Sfax BP.3038, Sfax, Tunisia) ,  Ben Aissa Dalenda (LETI laboratory, National School of Engineering of Sfax, University of Sfax BP.3038, Sfax, Tunisia) ,  Samet Hekmet (LETI laboratory, National School of Engineering of Sfax, University of Sfax BP.3038, Sfax, Tunisia) ,  Kachouri Abdennaceur (LETI laboratory, National School of Engineering of Sfax, University of Sfax BP.3038, Sfax, Tunisia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SM2C  ページ： 23-26  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,静的論理を用いた二重ゲートCNTFET(DG CNTFET)トランジスタに基づく全加算器を初めて設計への制御可能な極性CNTFETトランジスタの比を利用した。二重ゲートCNTFETで設計された相補的静的論理によって与えられたこの例外的特性はstatic_17fと呼ばれる静的構成可能基本セルを用いたコンパクトで効率的な全加算器を構築することを可能にする。構成可能な基本論理セルの解析とシミュレーション後,新しい全加算器について述べた。の研究とシミュレーション方法の説明を与えた。このような回路の実現可能性をシミュレーションにより実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *極性 ,  シミュレーション ,  トランジスタ
準シソーラス用語： 論理セル ,  二重ゲート ,  *全加算器 ,  *CNTFET ,  *両極性 ,  *再構成可能性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 論理回路  (NC05070B)

タイトルに関連する用語 (6件)： 再構成 ,  両極性 ,  CNTFET ,  セル ,  全加算器 ,  設計