高性能電子デバイス用の電気紡糸In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>ナノファイバの光化学活性化

MENG You; LIU Guoxia; LIU Ao; GUO Zidong; SUN Wenjia; SHAN Fukai

文献

J-GLOBAL ID：201702272907031717 整理番号：17A0599017

高性能電子デバイス用の電気紡糸In₂O₃ナノファイバの光化学活性化

Photochemical Activation of Electrospun In₂O₃ Nanofibers for High-Performance Electronic Devices

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資料名：
巻： 9 号： 12 ページ： 10805-10812 発行年： 2017年03月29日
JST資料番号： W2329A ISSN： 1944-8244 CODEN： AAMICK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

著者らは,高性能In₂O₃(I2O3)ナノファイバFETの製作のための簡素で効率良い紫外線処理プロセスを実証した。紫外線処理の独特の光化学機能はナノファイバネットワークの安定な接着と電子的清浄な界面の形成を可能にした。改善された接着特性で,デバイスは電気特性の優れた調整を示した。デバイス特性はナノファイバ密度に強く依存した。2.5μm^-1のナノファイバ密度を持つ,最適化電気紡糸I2O3/SiO₂FETは,2.8/cm/V/sの移動度,約10⁷の大きなオン/オフ電流比を含む,高い素子特性を示した。動作電圧を減少しさらに素子特性を改善するため,溶体化処理AlO_x誘電体に基づく電気紡糸I2O3ナノファイバFETを統合しそして調査した。高kのAlO_x誘電体,高品質I2O3ナノファイバチャネル,およびI2O3/AlO_xの電子的清浄な界面を含む利点を組み合わせた時,I2O3/AlO_xFETは,19.8/cm/V/sの移動度および約10⁶の大きなオン/オフ電流比のような優れたデバイス特性を示した。

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その他の紡糸・製糸 , トランジスタ

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高性能電子デバイス用の電気紡糸In2O3ナノファイバの光化学活性化

高性能電子デバイス用の電気紡糸In₂O₃ナノファイバの光化学活性化