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J-GLOBAL ID:201702272927578699   整理番号:17A1358510

InPに格子整合したIn_0In0.53Ga_0Ga0.47As多重量子井戸の固有状態エネルギーのミニバンド【Powered by NICT】

Minibands of eigen-state energies of In0.53Ga0.47As multi-quantum wells lattice-matched to InP
著者 (4件):
資料名:
巻: 2017  号: NUSOD  ページ: 61-62  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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~0.53Ga_0Ga0.47As/In_0.52Al_0Al0.48As多重量子井戸における非放物線サブバンド構造を理論的および実験的に研究した。多重量子井戸構造の周期ポテンシャルでは,障壁層が薄い場合,電子固有状態はエネルギー幅を持つミニバンドとなっている。10nm幅の障壁では,エネルギー幅は,より高いエネルギーで広くなった。固有状態は0.5eV以上である場合と量子井戸の上端近傍,エネルギー幅は0.012eV以上と計算された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (3件):
分類
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半導体結晶の電子構造  ,  半導体レーザ  ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 

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