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J-GLOBAL ID：201702272948771583   整理番号：17A0499689

ZnOに浅いV_Znを形成するLiドーピングの分光的証拠

Spectroscopic evidence that Li doping creates shallow V_Zn in ZnO

著者 (2件)： Lv Jinpeng (College of Astronautics, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing, P. R. China. [e-mail]) ,  Liu Yuan
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 8  ページ： 5806-5812  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 浅いアクセプタとドナー補償の排除の同時導入はP型ZnOの実現に向けた重要課題である。Liドーパントの構成と系統的分光特性の精密制御によって,Liドーピングが約414nm(~3.0eV)のルミネセンスピークでZnOに遊離V_Znを形成すると同時にドナーを排除する直接証拠を得た。興味深いことに,H₂O₂処理でも同じ欠陥発光を形成した。欠陥発光は多数の金属空格子点を持つZnO単結晶に出現し,浅いアクセプタ特性を実証した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *リチウム ,  *ドーピング ,  アクセプタ ,  ドナー ,  *光学的性質 ,  ルミネセンス ,  過酸化水素 ,  *空格子点 ,  単結晶
準シソーラス用語： 分光特性

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： ZnO ,  Li ,  ドーピング ,  分光 ,  証拠