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J-GLOBAL ID：201702273071569238   整理番号：17A0634787

紫外線検出への窒素ドープ超ナノ結晶ダイヤモンド/水素化非晶質炭素複合材料膜の適用

Application of nitrogen-doped ultrananocrystalline diamond/hydrogenated amorphous carbon composite films for ultraviolet detection

著者 (4件)： ZKRIA Abdelrahman (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  ZKRIA Abdelrahman (Aswan Univ., Aswan, EGY) ,  GIMA Hiroki (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  YOSHITAKE Tsuyoshi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 123  号： 3  ページ： 167,1-6  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒素ドープ超ナノ結晶ダイヤモンド(UNCD)/水素化非晶質炭素(a-C:H)膜を同軸アークプラズマ蒸着(CAPD)により合成し,窒素含有量をX線光電子分光(XPS)により見積もった。電気伝導率への窒素ドープの効果を調べ,X線近吸収端微細構造分光(NEXAFS)による化学結合構造測定と相関付けた。導電性増進の起源は,自由電子を発生させる余裕のあるπ^*C=N,σ^*C-N,及びσ^*C=N結合の形成に帰せられよう。n型UNCD/a-C:H膜及びp型Si基板でできたヘテロ接合フォトダイオードを作製し,UV光検出器として評価した。このヘテロ接合が,逆バイアス電圧で空乏領域の伸長をともなう代表的整流特性を示し,窒素ドープUNCD/a-C:H膜がUV照明に対し光電効果層として機能することを実験的に実証した。

シソーラス用語： *紫外検出器 ,  窒素 ,  ドーピング ,  ナノ結晶 ,  *ダイヤモンド ,  *炭素材 ,  水素化物 ,  非晶質 ,  *ナノ複合材料 ,  *複合膜 ,  アーク放電 ,  プラズマCVD ,  X線光電子スペクトル ,  XANES ,  *ヘテロ接合 ,  *フォトダイオード ,  ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  PN接合 ,  C/C複合材料
準シソーラス用語： 超ナノ結晶 ,  水素化アモルファス炭素 ,  NEXAFS

分類 (3件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 紫外線検出 ,  窒素ドープ ,  ナノ結晶ダイヤモンド ,  水素化 ,  非晶質炭素 ,  複合材料膜