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J-GLOBAL ID:201702273147886180   整理番号:17A0311319

グラフェンで制御された有機光検出器【Powered by NICT】

Graphene controlled organic photodetectors
著者 (11件):
資料名:
巻: 217  ページ: 43-56  発行年: 2016年07月 
JST資料番号: C0123B  ISSN: 0379-6779  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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液滴鋳造堆積法は,グラフェン酸化物をドープしたメチレンブルー(GOドープしたMB)フォトダイオード,Al/p-Si/GOドープMB/Auを作製した。光センシング応用のためのAl/p-Si/GOドープMB/Au Schottkyダイオードの電流-電圧(I V)特性に及ぼす光照射の影響を調べた。逆バイアスにおけるダイオードの逆電流はイルミネーション強度増加で増加する。理想因子と障壁高さの両方に対して得られた傾向は一致し,それらの両方はGOドーピングによって影響されることを示唆した。フォトダイオードの光感度を調べた。最高光感度は0.03GOを有するダイオードで観察された:100mW/cm~2でMB比I_photo/I_dark比8.67×10~3の10Vである。整流比は10~4のオーダーであった。添加では,ダイオードの容量-電圧(C V)及びコンダクタンス-電圧(G V)測定を10kHz-1MHzの周波数範囲で調べた。静電容量の測定値は周波数の増加と共に減少した。静電容量の減少は,界面状態に基づいて説明した。Al/P Si/GOドープMB/Auデバイスの光電特性は調製したダイオードはフォトダイオードと光電子デバイスへの応用における光キャパシタとして使用できることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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ダイオード  ,  光導電素子  ,  半導体-金属接触 
タイトルに関連する用語 (2件):
タイトルに関連する用語
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