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J-GLOBAL ID:201702273149607343   整理番号:17A1284505

水溶液によるエチレンオキシドの現像の現像条件とメカニズム探索【JST・京大機械翻訳】

Study on the Conditions and Mechanism of Developing Process of An Aqueous Solution Developed Epoxy Resist
著者 (6件):
資料名:
巻: 49  号:ページ: 40-45  発行年: 2017年 
JST資料番号: C3281A  ISSN: 1000-5463  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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従来のプロセスにおいて,SU-8フォトレジストを用いて,画像壁を作り,次に,最小の表示要素を得ることができた。実験により、もう一つのエポキシ樹脂フォトレジスト(KMPR)は伝統的なSU-8フォトレジストを代替することにより、エレクトロウェッティングデバイスの画素壁を作製でき、KMPRガムは有機溶剤を用いて現像でき、アルカリ性現像液を用いることができ、環境に優しい。有機溶剤(PGMEA)とアルカリ性現像液(KOH溶液、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH溶液)のKMPRフォトレジストに対する現像効果を比較することにより、最適な水溶液現像液である水酸化カリウム(KOH)現像液とその現像の最適濃度範囲を得た。KMPRリソグラフィーに及ぼす温度の影響を研究し,現像機構について議論した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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著者キーワード (3件):
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固体デバイス製造技術一般 
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