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J-GLOBAL ID：201702273153096978   整理番号：17A1617522

非晶質Co₆₀Fe₂₀V₂₀薄膜の微細構造と光電特性

Microstructure and Photoelectrical Characteristics of Amorphous Co₆₀Fe₂₀V₂₀ Thin Films

著者 (4件)： CHEN Yuan-Tsung (National Yunlin Univ. Sci. and Technol., Yunlin, TWN) ,  LEE Che-Wei (National Yunlin Univ. Sci. and Technol., Yunlin, TWN) ,  TSENG Jiun-Yi (National Yunlin Univ. Sci. and Technol., Yunlin, TWN) ,  WU Te-Ho (National Yunlin Univ. Sci. and Technol., Yunlin, TWN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 12  ページ： 9347-9349  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厚みが3~13nmのCoFeV薄膜をガラス基板上に室温でスパッタリングし,薄膜の構造と電気特性を調べた。X線回折と高分解能断面透過型電子顕微鏡を用いて薄膜の微細構造を調べた。X線回折パターンは明確な回折ピークを示さず,従って薄膜は非晶質であった。厚膜の電気抵抗率(ρ)は結晶粒界および薄膜表面での電子散乱のために低かった。薄膜の透過率と吸光度は,膜厚に影された。厚膜は入射光を妨げる可能性があり,透過率が低く,吸光度が高かった。最適な膜の最大透過率は70%,および電気抵抗率は3nmにおいて2714Ωcmであった。このCoFeV薄膜は光電気用途に適する。

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  バナジウム化合物 ,  コバルト化合物 ,  鉄化合物 ,  微細構造 ,  非晶質 ,  X線回折 ,  電子顕微鏡観察 ,  *透過率 ,  吸光度 ,  電気抵抗率 ,  *電気特性
準シソーラス用語： *光電特性 ,  *光透過率

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 非晶質 ,  薄膜 ,  微細構造 ,  光電特性