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J-GLOBAL ID：201702273184939277   整理番号：17A0703520

ヨウ化銅をドープした正孔注入層を用いた有機発光ダイオードにおける増大した正孔注入【Powered by NICT】

Enhanced hole injection in organic light-emitting diodes utilizing a copper iodide-doped hole injection layer

著者 (7件)： Shan Meiling (Key Laboratory of Functional Materials Physics and Chemistry of the Ministry of Education, College of Information Technology, Jilin Normal University, Siping 136000, China. [e-mail]) ,  Jiang Haipeng ,  Guan Yu ,  Sun Dongsu ,  Wang Yu ,  Hua Jie ,  Wang Jin
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 22  ページ： 13584-13589  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： C545T Alq_3の発光系に基づく正孔注入層(HIL)として4,4′,4′′-トリス(N-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ)トリフェニレアミン(m MTDATA)におけるヨウ化銅(CuI)を組み込むことにより,有機発光ダイオード(OLED)を実証した。CuIドープm-MTDATA HILを伴ったデバイスは1000および10000Cd m~ 2の約4.26と5.70Vの非常に低い動作電圧を示した,これはドープしていないデバイスm-MTDATA HIL(1000Cd m~ 2と7.72Vで4.85V10000Cd m~ 2)で大きな改善を明らかにした。CuIドープデバイスは5.88lm W~ 1の最大電力効率,対応する無ドープ素子のそれ(3.71 lm W~ 1)よりも約58%高いことが分かった。CuI溶融装置の改善された性能は,m-MTDATAにCuI分子からの電荷移動によるCuI層における自由電荷キャリアの生成に起因する強化された正孔注入と輸送に起因し,ITO/HIL界面でOhm接触の電気伝導率と形成の増加をもたらした。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 界面 ,  *発光 ,  *ドーピング ,  Ohm接触 ,  フェニル基 ,  電荷移動 ,  電気伝導率
準シソーラス用語： 電荷キャリア ,  動作電圧 ,  *有機EL素子 ,  *正孔注入 ,  *ヨウ化銅 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

物質索引 (1件)： m-MTDATA

タイトルに関連する用語 (4件)： ヨウ化銅 ,  ドープ ,  正孔注入 ,  有機発光ダイオード