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J-GLOBAL ID：201702273186727386   整理番号：17A1489222

サブミクロンスケールのステップエッジ接合を持つ超伝導量子干渉素子における大きい電圧変調【Powered by NICT】

Large voltage modulation in superconducting quantum interference devices with submicron-scale step-edge junctions

著者 (1件)： Lam Simon K.H. (CSIRO Manufacturing Flagship, PO Box 218, Lindfield, NSW 2070, Australia)
資料名： Physica C. Superconductivity and Its Applications  (Physica C. Superconductivity and Its Applications)
巻： 540  ページ： 20-25  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0580A  ISSN： 0921-4534  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SQUIDの感度を改善するための有望な方向は,その接合の常伝導抵抗値,R_nを増加させることである,SQUID変調電圧はR nと共に直線的にスケール高感度単一層SQUIDを開発する第一段階として,大きなR nを持つサブミクロンスケールYBCO粒界ステップエッジ接合とSQUIDを作製し,研究した。ステップエッジ接合を集束イオンビームを用いてR n値を増加させるためにサブミクロンスケールに減少し,FIBし,輸送特性の測定は,4.3Kから77Kまで行った。FIB誘起堆積層はFIBミリングの間のGaイオン汚染を最小化するのに有効であることが分かった。4.3Kにおけるサブミクロン接合の臨界電流常伝導抵抗値は1 3mVであることが分かり,ミクロンスケールの接合の同じタイプの値と同等であった。サブミクロン接合R n値は35 100Ωの範囲にあり,広い温度範囲で大きなSQUID変調電圧をもたらす。性能は低温で寒剤を使わない,高い磁場感度SQUID応用のさらなる研究,例えば40 60を促進する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電圧 ,  臨界電流 ,  イットリウムバリウム銅酸化物 ,  磁場 ,  常伝導 ,  結晶粒界 ,  ガリウム ,  高感度 ,  低温 ,  集束イオンビーム ,  *SQUID ,  イオン ,  単一層
準シソーラス用語： 輸送特性 ,  *ステップエッジ接合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： Josephson接合・素子  (BM04043E)

タイトルに関連する用語 (3件)： ステップエッジ接合 ,  超伝導量子干渉素子 ,  変調