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J-GLOBAL ID:201702273214484834   整理番号:17A1020134

光学的浮遊帯融解法による単結晶成長におけるパラメータの温度場と最適化の数値シミュレーションのための単純化した有限要素モデル【Powered by NICT】

A simplified finite element model for numerical simulation of temperature field and optimization of parameters in single crystal growth by optical floating zone technique
著者 (4件):
資料名:
巻: 468  ページ: 923-932  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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光浮遊帯(OFZ)は様々なバルク結晶,特に金属酸化物の単結晶を成長させるために最も広く用いられている技術の一つである。成長パラメータはフィードロッド,ランプ出力,回転速度,成長雰囲気およびガス圧力の性質であると同定されているが,画像炉における結晶成長中の温度場に及ぼすこれらのパラメータの影響を明らかにした研究はほとんどない。温度勾配が浮遊帯結晶成長のための駆動力であることが知られている。OFZ温度場に影響を与える主要な成長パラメータを得るために必須である。本研究では,単純化した有限要素(FE)モデルをOFZ結晶成長中の温度場の数値シミュレーションのために開発した。OFZ結晶成長中の温度場に及ぼす主要な成長パラメータ(すなわち,ランプ出力,ランプフィラメント,溶融ゾーン構造)の影響を,理論的に決定し,実験的に検証した。数値計算によると,成長パラメータを最適化し,高品質TiO_2単結晶は実際に成長させた。前向き,本研究で提示したFEモデルは,他の結晶の成長パラメータを最適化するために適用できると同様に簡単で科学的方法でOFZ結晶成長の物理的プロセスを理解するための新しい機会を開く。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (3件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の結晶成長  ,  有機化合物の結晶成長  ,  その他の無機化合物の結晶成長 

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