KAWABATA J. について
Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN について
EKINO T. について
Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN について
YAMADA Y. について
Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN について
OKADA Y. について
Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN について
SUGIMOTO A. について
Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN について
MURO Y. について
Toyama Prefectural Univ., Izumi, JPN について
TAKABATAKE T. について
Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN について
Physical Review. B について
半導体 について
磁気秩序 について
ドーピング について
アルミニウム含有合金 について
オスミウム合金 について
セリウム含有合金 について
Kondo効果 について
電流電圧特性 について
電気伝導率 について
金属間化合物 について
電気測定 について
Kondo半導体 について
反強磁性秩序 について
ブレークジャンクション法 について
半導体結晶の電気伝導 について
その他の無機化合物の磁性 について
実験 について
研究 について
Kondo半導体 について
ハイブリッド化 について
ギャップ について
反強磁性秩序 について
ドーピング効果 について