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J-GLOBAL ID：201702273416012185   整理番号：17A1830956

高性能スーパーキャパシタのためのNi@Ni_3S_2ナノワイヤ膜の電気化学的性質を高めるためのコバルトドーピング【Powered by NICT】

Cobalt Doping To Boost the Electrochemical Properties of Ni@Ni₃S₂ Nanowire Films for High-Performance Supercapacitors

著者 (10件)： Xu Shusheng (Key Laboratory for Thin Film and Microfabrication of Ministry of Education, Department of Micro/Nano Electronics, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, P.R. China) ,  Wang Tao (Key Laboratory for Thin Film and Microfabrication of Ministry of Education, Department of Micro/Nano Electronics, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, P.R. China) ,  Ma Yujie (Key Laboratory for Thin Film and Microfabrication of Ministry of Education, Department of Micro/Nano Electronics, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, P.R. China) ,  Jiang Wenkai (Key Laboratory for Thin Film and Microfabrication of Ministry of Education, Department of Micro/Nano Electronics, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, P.R. China) ,  Wang Shuai (Key Laboratory for Thin Film and Microfabrication of Ministry of Education, Department of Micro/Nano Electronics, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, P.R. China) ,  Hong Min (Key Laboratory for Thin Film and Microfabrication of Ministry of Education, Department of Micro/Nano Electronics, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, P.R. China) ,  Hu Nantao (Key Laboratory for Thin Film and Microfabrication of Ministry of Education, Department of Micro/Nano Electronics, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, P.R. China) ,  Su Yanjie (Key Laboratory for Thin Film and Microfabrication of Ministry of Education, Department of Micro/Nano Electronics, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, P.R. China) ,  Zhang Yafei (Key Laboratory for Thin Film and Microfabrication of Ministry of Education, Department of Micro/Nano Electronics, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, P.R. China) ,  Yang Zhi (Key Laboratory for Thin Film and Microfabrication of Ministry of Education, Department of Micro/Nano Electronics, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, 200240, P.R. China)
資料名： ChemSusChem  (ChemSusChem)
巻： 10  号： 20  ページ： 4056-4065  発行年： 2017年 
JST資料番号： A1411A  ISSN： 1864-5631  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属硫化物はエネルギー貯蔵用として大きな関心を集めている。しかし,それらの低い比容量と劣ったレート能力はそれらの実際的応用を妨げている。本研究では,容易なコバルトドーピングプロセスは高性能電気化学的エネルギー貯蔵のためのNi@Ni_3S_2コア-シースナノワイヤ膜電極の電気化学的性能を向上させるために使用されている。Coイオンは容易なイオン交換プロセスを通してNi_3S_2ナノシートに均一にドープした。膜電極の電気化学的特性は大きく改善され,CoはNi@Ni_3S_2コア-シースナノワイヤ中にドープした後超高体積容量(0.25A cmで~ 3~105 730C cm~ 3から増加)と優れた定格を得た。CoドープNi@Ni_3S_2正極とグラフェン-カーボンナノチューブとして負極としてハイブリッド非対称スーパーキャパシタを組み立てて,0.5A cm~ 3と優れたサイクル安定性(5000サイクル後に3%しか容量減少)で142F cm~ 3(両電極の全体積に基づく)の超高体積静電容量を示した。さらに,体積エネルギー密度は,44.5mWh cm~ 3であり,薄膜リチウム二次電池(1 10 mWh cm~ 3)のそれよりもはるかに大きいに達することができた。これらの結果は,エネルギー貯蔵応用のための高性能膜電極の作製のための有用な洞察を提供するかもしれない。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 非対称性 ,  リチウム二次電池 ,  静電容量 ,  グラフェン ,  膜電極 ,  エネルギー貯蔵 ,  *ドーピング ,  硫化物 ,  イオン交換 ,  *電気化学 ,  エネルギー密度
準シソーラス用語： 電気化学的性能 ,  比容量 ,  *電気化学的特性 ,  *スーパーキャパシタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： コバルト ,  ドーピング ,  電気化学 ,  ニッケル ,  スーパーキャパシタ

分類 (1件)： 静電機器  (NB10020R)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高性能 ,  スーパーキャパシタ ,  ナノワイヤ ,  電気化学的性質 ,  コバルト ,  ドーピング