文献

J-GLOBAL ID：201702273537363890   整理番号：17A1745169

電子をドープしたGaAs/GaAlAsの量子井戸における波動関数とエネルギー特性を調べた。【JST・京大機械翻訳】

The electronic energy properties of the doped GaAs/GaAlAs Fibonacci quantum wells structure

著者 (4件)： Luo Min (南京林業大学理学院,南京,210037) ,  Cheng Ziheng (南京林業大学理学院,南京,210037) ,  Bao Jianyang (南京林業大学理学院,南京,210037) ,  Zhu Kejie (肥東聖泉中学,肥東,231600)
資料名： Sichuan Daxue Xuebao. Zirankexueban  (Sichuan Daxue Xuebao. Zirankexueban)
巻： 54  号： 3  ページ： 557-560  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2595A  ISSN： 0490-6756  CODEN： SCTHAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では、転送行列と境界条件を用いて、一次元定常状態Schroedinger方程式を正確に計算し、一次元フィッシャー量子井戸構造における電子波動関数の計算条件を導出した。ポテンシャル井戸にドープされた場合を考慮して,ポテンシャル井戸におけるドーピングはポテンシャル井戸の幅のみを変化させると考えられる。半導体材料のパラメータ範囲において、一次元ドーピングフォトン量子井戸構造の電子エネルギー固有値に対するポテンシャル井戸幅の影響をさらに研究した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 境界条件 ,  *波動関数 ,  *ヒ化ガリウム ,  Schroedinger方程式 ,  固有値 ,  一次元 ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  *量子井戸 ,  *ドーピング ,  転送行列 ,  半導体材料
準シソーラス用語： 電子エネルギー ,  定常状態 ,  *エネルギー特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Fibonacci quantum wells structure ,  Eigen-wavefunction ,  Eigenenergy

分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電子 ,  ドープ ,  GaAs ,  GaAlAs ,  量子井戸 ,  波動関数 ,  エネルギー特性