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J-GLOBAL ID:201702273610806889   整理番号:17A1712368

高密度ナノ析出物を含むYBa_2Cu_3O_7+δ薄膜の磁束ピン止め特性:サイズ効果を明らかにするための比較研究【Powered by NICT】

Flux pinning properties of YBa2Cu3O7-δ thin films containing a high density of nanoprecipitates: A comparative study to reveal size effects
著者 (2件):
資料名:
巻: 542  ページ: 46-54  発行年: 2017年 
JST資料番号: T0580A  ISSN: 0921-4534  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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J_C(H, T)臨界電流密度の温度依存性を,パルスレーザ蒸着法を用いて堆積した二熱同時蒸着YBa_2Cu_3O_7δ(YBCO)薄膜(A, B)と二YBCO膜(C, D)の中程度の磁場(H⊥膜)で測定した。試料膜すべてが単結晶基板の表面に垂直なc軸にエピタキシャル成長させた。透過型電子顕微鏡観察は,これら四種類の膜は典型的なサイズ3.6 5.0nm(A),5.0 7.1nm(B),7.0 10.1nm(C)と8.7 14.3nm(D)のナノ析出物の高密度を含むことを明らかにした。膜AとBは非常に微細なナノ析出物,その典型的な直径D_typである77Kで推定したGinzburg-Landauコヒーレンス長2ξ_ab二重より小さいを含み,温度の低下とともにJ_Cの急激な増加を示した。が,比較的大きなナノ析出物(T≦70KでD-typ>2ξ_ab)を含む,膜DはJ_cの漸増を示した。J_C(T)曲線の顕著な交差をもたらした。固定磁場下でJ_C(H//c)の温度依存性はJ_C~(1-T/T_c)~m(1+T/T_c)~2で近似した指数mは微細析出物を含む膜の大きい;,m(A)>M(B)>M(C)>m(D)。これは微細なナノ析出物は,一般的に低い温度,観察された交差現象の起源である急J_c増加を引き起こすことを意味している。実験結果は,コアピン止め相互作用により計算した基本ピン止め力f_Pの直接和に基づくいくつかの理論的モデルによって合理的に説明した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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酸化物系超伝導体の物性 
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